米Applied Materials社（AMAT）は、蘭ASM International社（ASMI）のALD（原子層堆積）事業とプラズマCVD事業に対する法的拘束力のない買収提案を行ったと発表した。買収金額は上限が4億ドル～5億ドルで、デューデリジェンス（買収調査）の結果次第で変動する。AMATは、この取引が成立するという保証はなく、ASMIとの間の可能性のある取引についての見通しの発表であるとしている。

　Electronic News によると、米Gartner社の技術/サービスプロバイダ調査担当バイスプレジデントのDean Freeman氏は、「業界全体で前年比20％の減少が見込まれている半導体製造装置市場において、AMATが提示したとおりに両事業の獲得に成功すれば、同社は新たに2つの武器を得ることになる。CVD市場の2008年の売り上げは38億ドル規模になるものと見込まれているが、2012年にはこれを46億ドルにまで引き上げる活性剤の役割を果たすことにもなると見込まれている」という。

　さらにFreeman氏は、「ASMIがPECVD部門を売却した場合、2008年に11億7000万ドルとの業績見込みが2012年には16億2000万ドルにまで成長する見込みだ。また、2008年に2億4000万ドル規模のALD部門の業績見込みは、2012年には4億600万ドルにまで成長すると予測される」と語った。

　ASMIはこの提案に対し、6月14日までには回答を公表するとしている。

　2008年5月、ASMは単金属のメタルゲートに関する詳細を発表している。同社は、「これまで、CMOSには異なる2種類のメタルゲート材料が必要とされていたが、この技術により、単金属を使用した32nm世代のHigh-kゲート絶縁膜/メタルゲート構造の実現が可能になる」と発表していた。この発表では、ALDにＬａＯxとHigh-kキャップ膜にはAlOxを導入しているとされる。