米SEMATECHは、極端紫外線（EUV）リソグラフィを利用した製造プロセスの量産適用に向けて、化学増幅型レジスト（CAR：Chemically Amplified Resist）を用いて22nm（ハーフピッチ）の解像度が得られたことを明らかにした。SEMATECHは、「今回の研究成果は、レジストメーカーとの共同作業によって得られた。22nmもしくはそれ以降のプロセスの実現に向けて大きな成果だ」と報告した。

　SEMATECHは、CARを用いたデモンストレーションにおいて22nmの解像度を実現（写真1）。感光速度は15mJ/cm²、ライン幅ばらつき（LWR：line width roughness）は5nm～6nmを達成している。SEMATECHによると、「LWRの数値はITRS（国際半導体技術ロードマップ）が定める仕様より若干大きいものの、レジストの後処理やエッチングによってLWRを許容範囲内に収めることはできるだろう」と説明している。

　SEMATECH先端技術担当バイスプレジデントのJohn Warlaumont氏は、「今回の結果はEUVリソグラフィ技術開発における礎となり、EUVが22nmプロセスにとって必要不可欠であることを実証するデータになるだろう」と述べる。さらに同氏は、「レジストの解像度を22nmまで向上させるためにはレジストメーカーとの協業が非常に重要であった。SEMATECHとレジストメーカーの知識を融合させることで今回の成果が得られた」と述べている。

（Electronic News）