アイ・ピー・ビー（以下、IPB）は、フラッシュメモリー市場に参入する企業の技術競争力を、特許の質と量の両面から総合的に評価した「出願人スコアランキング」を発表した（表1）。このスコアは、各出願人が出願した特許の総合力を測るための指標で、IPBが独自開発した特許自動評価システム「IPBパテントスコア」により算出し、企業ごとに抽出/合算したもの。同指標により、特許件数だけでなく質的観点を取り込んだ特許力の評価を行ったという。

　今回の出願人スコアランキングでは、1位は米SanDisk社、2位はルネサス テクノロジ、3位は韓国Hynix Semiconductor社となった。SanDiskは、出願件数は多くないものの、「操作方法」や「回路構成」の分野で質の高い特許を出願しており、総合得点で1位になったという。2位のルネサスは、「操作方法」、「回路構成」、「素子構造およびその製造方法」の3つの分野において高い技術競争力を示し、3位のHynix社は、「素子構造およびその製造方法」の分野において出願件数/出願人スコアともに1位であったという。

　NAND型フラッシュメモリー市場で世界シェアトップの韓国Samsung Electronics社は10位、同シェア2位の東芝は7位となり、「特許面からは技術競争力の強さが見られなかった」（IPB）という。ただ、東芝は今回のランキング1位のSanDisk社と業務提携しているため、特許面からの競争力強化は期待できるとしている。

　このほか、米Advanced Micro Devices（AMD）社が4位、米Micron Technology社が5位、沖電気工業が6位、米Spansion社が8位、富士通が9位に、それぞれランクインした。

　なお、今回のランキングの対象は、日本の特許庁にフラッシュメモリー関連技術を出願している企業、大学/研究機関、個人を対象としており、2002年1月から2005年12月までに出願された735件の特許を基に集計されている。