米IBM社は2008年9月、同社が開発している新型の半導体メモリー「Racetrack Memory」について、台湾のITRI（Industrial Technology Research Institute：工業技術研究院）と共同研究を行うと発表した。このメモリー技術は、IBMフェローで同社アルマデン研究所に勤務するStuart Parkin博士が考案したもの。

　IBMフェローで科学技術担当バイスプレジデントを務めるT.C. Chen氏は、「Racetrack Memoryは、スピン偏極電流の制御技術を基にした革新的なコンセプトに基づいており、これまでの当社ナノ材料/ナノデバイス研究の成果が生かされている」と説明する。

　IBMが2008年4月に発表したRacetrack Memoryの研究成果によると、「既存のメモリーと比べて単位面積当たりのデータ記憶容量を格段に拡大できる可能性があり、ブート時間の高速化、安定性、耐久性などを確保しつつ低価格のメモリーを実現できる可能性がある」としていた。

　今後、Parkin氏およびITRIで副院長を務めるIan Chan氏が共同開発チームを率い、Racetrack Memoryに適した新たな材料や構造の研究開発を進めるという。両者はこの研究が成功することで、既存のストレージ技術やメモリー技術にパラダイムシフトを起こせると期待を寄せている。

　Chan氏は、「さまざまな材料や構造を研究することで、Racetrack Memoryの原理についての新たな洞察が行えるようになり、これまでにないデバイス開発が可能になると期待している。そうなれば、情報処理システムの分野などに革命をもたらすことが可能になるだろう」と述べている。

（Electronic News）