蘭ASMLは、2008 年国際EUVL シンポジウムにおいて11nmノード以降に対応する極紫外線（EUV）リソグラフィ開発の進捗状況およびロードマップを発表した。同社は、露光装置「NXE」 シリーズを開発。同装置は、同社の「TWINSCAN」プラットフォームをベースに開発された。装置の初期設計およびサプライチェーン構築はすでに終えており、装置の製造を開始しているという。

　ASML はこれまでに、メモリーおよびロジック両方のメーカーからEUV装置5 台を受注している。これまでに同社は、2006 年8 月にフルフィールドのEUV 露光装置を2 台出荷。1 台はベルギーIMEC、もう1 台は米CNSEに納入されている。

　光源はレーザー生成プラズマ（LPP）を採用したプロトタイプ第1 号が稼働中。予定どおり100W バーストを実現した。NXEはLPPを搭載する予定。現在ASML が提供している現行のEUV ADT には、放電生成プラズマ（DPP）方式を使用している。