米KLA-Tencor 社は、同社「PROLITH」シリーズの最新版「PROLITH 12」を発表した。この新しいツールにより、極端紫外線（EUV）リソグラフィのマスク、パターン形成材料、およびプロセスとのEUV光の相互作用を厳密にモデリングし、ウェーハへのパターン形成の結果を推測することができる。プロセスの実現可能性を費用効率よく見極めることができるようになるという。

　KLA-Tencorによると、業界ロードマップではEUVリソグラフィがここ2、3年の間に半導体デバイスを製造するための有望な技術となるかもしれないとされているが、克服すべき技術的な障壁がいくつかあるという。PROLITH 12により、実験用材料や試作品のプロセス装置を使用する必要がなくなり、テスト・ウェーハにパターンを転写する費用などが不要になるとしている。EUVリソグラフィの場合は、反射光を利用してウェーハにパターン形成を行なわねばならないため、ウェーハに転写されたパターンに非対称性が生じる。PROLITH 12は、これらの課題やEUVシステム固有のその他の課題に対処できるように設計されている。