台湾UMC社は2008年10月、28nmプロセスでSRAMの製造に成功したと発表した。このSRAMは、UMCが独自開発した低リークプロセス技術を利用して製造されたという。同社はこのSRAM製造において、液浸リソグラフィによるダブルパターニング技術、および歪みSi技術を採用している。SRAMのセルは6トランジスタ構成で、そのセルサイズは約0.122μm²であるという。

　UMCによると、幅広いアプリケーションに対応するために、この28nmプロセス技術は2つのアプローチを用意しているという。その1つは、従来型のSiゲート/SiON膜を利用した低リークプロセスで、主に携帯電話機向けのICなど携帯端末機器向けの用途に向けるという。もう1つの選択肢は、高性能デバイス向けにHigh-kゲート絶縁膜/メタルゲートを導入するプロセスで、これはグラフィックスプロセッサやアプリケーションプロセッサなどに適しているという。

　UMCは、「開発した28nmのプロセス技術は、当社の300mmウェーハ対応工場の40nmプロセス技術と比べて2倍ほどの高密度化を実現することができる。また、この28nmプロセス技術を利用して、32nmプロセス技術のファウンドリサービスを提供する予定だ」としている。

　同社で先端儀技術開発担当バイスプレジデントを務めるSC Chien氏は、「28nmプロセスを実現できたことをうれしく思う。今後は引き続き、低消費電力化、歪シリコン効果のモデリング、歩留り改善などに注力していく」と述べた。

（Electronic News）