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組み込みOPCが、DUVレーザーでの
65/45nmマスク描画を可能にする


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パターニング前のCD補正をマスク描画データに適用し、マスク描画データにCD補正をかけ、組み込みの近接効果補正(OPC:Optical Proximity Correction)を適用することで、マスクのCDリニアリティや近接効果性能を向上することができる。これにより、DUVレーザーを使用して 65nmや45nmプロセス向けのマスク描画が可能になる。



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