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“Apple効果”不在も、拡大傾向が続くNAND型フラッシュ需要 ——Semicoが報告 (2008.07.02)

　米国の経済情勢が悪影響を及ぼしているにもかかわらず、民生電子機器の売り上げは世界的に伸びている。それによって、NAND型フラッシュメモリーの出荷量および売上高が拡大している。

　調査会社の米Semico社によると、2007年のNAND型フラッシュメモリーの出荷数は25億個であった...


2008年5月の世界半導体売上高は前年同月比で7.5％増、民生電子機器がけん引 (2008.07.02)

　米国半導体工業会（SIA：Semiconductor Industry Association）は、「米国の経済状況は依然として不安定であるにもかかわらず、2008年5月における半導体の売上高は堅調な伸びを示した」と発表した。

　SIAによると、「2008年5月の半導体売上高は、...


NECエレが45/40nmトランジスタの新技術を開発、 しきい値電圧の制御にHfを利用 (2008.06.27)

iPhone 3Gを“仮想分解”、原価は173ドルと試算、 －－iSuppliが報告 (2008.06.27)

「半導体業界は最悪の状況は脱した」 ——JP Morgan社が見解を示す (2008.06.27)

2010年までに太陽電池業界への投資額は半導体業界と同等レベルに ——iSuppli社が予測 (2008.06.27)

SamsungとSiltronic、300mmウェーハ合弁工場の稼働を開始 (2008.06.25)

「半導体IP市場は成長率低下でベンダーの整理統合が加速」 ——Gartnerが警鐘 (2008.06.25)

NECエレとエルピーダ、ディスプレイドライバ分野で合弁会社を設立へ (2008.06.25)

2008年1Qの製造装置出荷額、前期比7％増の105億6000万ドル ——SEMIが報告 (2008.06.25)

ファンドも参入、AMATとFrancisco PartnersがASMI買収に動く、 ASMIはこれを拒否 (2008.06.23)

IMEC、32nm High-k/メタルゲートプロセスの改良策を発表 (2008.06.20)

「450mmウェーハへの移行は技術的にはそれほど困難ではない」 ——IntelフェローGargini氏がコメント (2008.06.20)

2008年第2四半期の成長率は横ばいも、下期から上向くとの見通し ——Gartnerが報告 (2008.06.20)

IBMと東京応化工業、CIGS系太陽電池の製造プロセスを共同開発へ (2008.06.20)

アドバンテスト、Credenceドイツ法人を買収、車載半導体試験事業を強化 (2008.06.20)

東芝、Si結晶面を制御したDSB基板を採用したCMOSFETを開発 (2008.06.20)

2007年のSiウェーハ売上高、前年比22.5％増の125億ドル --Gartner社の調査結果より (2008.06.18)

AMATはあきらめない、 ASMI監督委員会の決定に対し提案継続を発表 (2008.06.18)

SIAが2008年半導体売上高の予測を下方修正、メモリー価格の下落が原因 (2008.06.18)

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固体ソース供給システムで ハフニウム系ゲート絶縁膜を実現 (2008.06.01)

High-k/メタルゲートは、ハフニウム系ゲート絶縁膜の量産を実現する新規プロセス、そして前駆体と供給方式が必要である。トランジスタ形状のスケーリングを維持するため、ALDは新規ゲート絶縁膜の使用を促進する。


Si貫通ビア： 量産準備は完了 (2008.05.01)

組み込みOPCが、DUVレーザーでの 65/45nmマスク描画を可能にする (2008.04.01)

新たなリソ技術や トランジスタ構造の変化が 32nmへと導く (2008.03.01)

製造プロセスに新しい展開 (2008.02.01)

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アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
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