Semiconductor International Japan

SHRIMEとAWR、中国RF技術のネック突破に向け提携

　北京大学と米Applied Wave Research(AWR)は先ごろ、上海で北京大学上海微電子研究院(SHRIME)とAWRの提携調印式および設計ツール一式の寄贈式を行った。両者はこれを皮切りに「RF設計と研究開発の共同実験室」の共同建設に向けて取り組み、3～5年かけて高周波ICの設計、プロセスデザインキット(PDKs)の開発、および中国の半導体製造における重点工場向けのRF回路IPの開発能力を備えた実験室を整備していく。また、同実験室を学生と産業界の優れたRF設計の人材を育成する場として確立させるという。

　聞くところによれば、今回のSHRIMEとAWRによる「RF設計と研究開発の共同実験室」の設立計画は、世界的な高等教育機関と産業界との連携を通じて、先進プロセス、特殊デバイス技術と応用、電子設計の自動化技術混合IC・RFIC設計、IP検証と標準化、システム統合の設計法、ICとMEMSのパッケージテスト、ナノテク、ブロードバンド半導体デバイスと応用、ディスプレイの新材料とデバイスなどを重点的に開発していくという。

　急速な発展を見せている中国の無線製品市場は、高周波設計に携わる中国国内の研究者に新しいチャンスを大量に提供する一方、同時にさまざまな課題ももたらしている。実際、近年の中国における設計技術の急速な向上は、主にデジタル回路の分野にとどまっており、経験の乏しさから、中国はシミュレーションやRF回路の開発能力、特にRF製造プロセスでは実質的な向上が得られていない。高周波電子設計の規模の複雑化に伴い、設計エンジニアの多くは、より優れた設計方法とツールにより、設計のシミュレーションに求められるトータルな要求を実現したいと考えている。AWRのトータルソリューションは、高周波電子、無線通信、シミュレーションと混合設計において、より効率的な方法により、最も短い時間で、より精密かつ正確な設計を完成させることができ、特に設計エンジニアが既存の設計ツールを変えることなく、設計パラメータを容易にAWRの製品データフォーマットにインプットすることができる。つまり、AWRの製品は現在主流となっているRTLEDAソフトと良好な互換性を持っているのである。

MEMSIC、加速度センサーを家庭用電子市場に応用

　現在、世界で唯一MEMSと同水準のCMOSをシングルチップに集積し、低コスト、高信頼度の加速度センサーを開発できるのは、一つの中国企業、MEMSICである。同社社長の趙陽氏は「MEMSICの熱ガスを利用した独自の加速度センサー技術は、より高い品質とより低いコストの製品の生産を可能にしている。現在、我々の製品の良品率は競合他社を40～50％上回っている」と述べる。

　現在、Sensata Technologies(元はTexas Instruments社のセンサーズ&コントロールズ事業部)が既にMEMSICの製品を電子安定装置、車両横転防止装置、ブレーキシステム、およびその他安全システム装置に応用しているほか、多数の日本自動車メーカーや米General Motors(GM)もMEMSICの新顧客に名を連ねている。

　低コストと高信頼度は、加速度センサーを家庭用電子市場に応用させる重要な要素となっている。MEMSICは定価1米ドル、ppm一桁の品質保証などを強みに、加速度センサーの家庭用電子市場への大規模参入に向けたトータルソリューションを提供していくという。

Honeywell、1350万米ドルを投じアジア太平洋研究開発センターを拡張

　米Honeywell International社は11月13日、1350万ドル強を投じて上海に保有するアジア太平洋研究開発センターを拡張すると発表した。拡張建設は2007年7月に竣工する予定。竣工後、同センターはHoneywellの4大戦略部門-航空宇宙、自動制御システム、交通システム、特殊材料グループ向けに、エンジニアリング、設計、開発などの業務を手掛けることになる。

　今回の拡張建設の中心となるのは、Honeywell特殊材料グループのアジア太平洋技術センターにおける第2期プロジェクトである。拡張建設により、同センターの研究開発スペースはこれまでの3倍となり、電子材料研究に使用される清浄度クラス100のクリーンルーム、高温ヒートポンプ実験室、PVC(ポリ塩化ビニル)の押出成型に用いられる高性能特殊潤滑剤の開発試験実験室など、10の独立した実験室が新たに設けられる。

　Honeywellグローバルバイスプレジデント兼中国地域CEOのShane Tedjarati氏は「2004年に研究開発センターを設立した当初から、我々は最も優れた製品と技術ソリューションを提供することにより、現地の発展と繁栄に貢献するという明確な目標を掲げてきた。現在、すべての目標を前倒しで達成させ、予想以上の成功を収めている」と話す。また、同社特殊材料グループ・プレジデント兼CEOのNance Dicciani女史は「上海に位置するアジア太平洋技術センターは、特殊材料グループがグローバルベースで展開する研究開発の重要な一環である。躍進的な成長を遂げる中国市場では、既に(太陽エネルギーなど)数多くの先進技術を備え、優秀な人材も豊富である。アジア太平洋技術センターの戦略は、現地市場に根ざしたビジネスを展開することであり、これにより中国の関連業者との提携チャンスも多くなる」としている。

　現在、電子及び半導体材料はHoneywell特殊材料グループの売上全体の10～15％を占めている。この2年間、アジア太平洋技術センターは特級コンデンサ用電解液の開発に成功したほか、半導体分野では半導体製造の超微細プロセスに用いられる材料を開発し、中国の90nmプロセスの需要に対応している。これはフレキシブルな材料技術のプラットフォームであり、異なる線幅のプロセスの需要を満たすことが可能と同社は話す。

中科晶電、GaAs量産へ

　中科晶電信息材料(北京)有限公司は、1年近くの調整とパイロット生産を経て、10月12日に量産シフトのセレモニーを行った。これにより、同社の半導体材料のGaAsが集積化、量産化の新たな段階に入ったことを意味する。同社はGaAsICの生産能力を備え、世界でGaAs製品のラインナップが最も充実したメーカーを目指すという。

　現在、中科晶電のGaAsICの月産量は2～3インチが5万枚、4～6インチは5000枚に達している。継続的な投資と生産拡大により、2008年には生産能力が倍増し、月産能力は2～3インチが10万枚、4～6インチは5万枚、生産額は年間1億ドル以上に達する見込みという。同社の総経理である卜俊鵬氏は「中科晶電は世界の化合物半導体材料業界で最大規模の生産能力を誇る業者として、開封後すぐに利用できる中国製GaAsICが全世界で販売されることを期待したい」と意気込みを見せた。

　化合物半導体材料の中でも、GaAsは最も重要で最も用途の広い材料であり、マイクロエレクトロニクスと光電子の分野においては、まだ大きな応用の余地が残されている。マイクロエレクトロニクス市場では、GaAsは主に高速、高周波、ハイパワーのマイクロエレクトロニクス部品と回路に用いられている。光電子分野では、世界のLED市場の急速な発展に伴い、特に半導体の固体照明、GaAsの太陽電池などの台頭により、その応用範囲はさらに広がると見込まれている。

　中科晶電信息材料(北京)有限公司は、北京中科英半導体有限公司、美西半導体設備材料(香港)有限公司および米Microchip Technologyが投資総額2500万ドルで設立した合弁事業。

HynixとST、無錫の300mmメモリーチップ工場が稼動

　伊仏合弁STMicroelectronicsと韓国Hynix Semiconductor社が無錫に共同で建設した300mmメモリー用ウェーハ工場が10月10日に稼動を開始した。新工場ではNAND型フラッシュメモリーとDRAMメモリーチップを生産し、無錫のウェーハメーカーであるSTのNAND型フラッシュメモリー市場への参入を支援するとともに、フラッシュメモリーと積層可能なDRAMチップを提供する。同時に新工場はHynixの300mm生産ラインの生産能力を拡大。現在、HynixのDRAM製品は中国で47％の売上シェアを占め業界トップ。同工場へはSTが3分の1を出資している。

　20億ドルを投じて建設された新工場には、200mmと300mmの生産ラインが設けられた。2005年4月に着工し、敷地面積は55万m2、クリーンルームの面積は2万m2に達する。90nmおよび110nmプロセスを採用した200mm生産ラインは、2006年7月に稼動し、今回、新たに生産に入った300mmの生産ラインでは80nmプロセスを導入している。従業員数は2000人。2本の生産ラインでは、2007年半ばにも従来のDRAM製品のほか、NAND型フラッシュメモリーの生産も開始するという。生産計画によると、月産能力は200mm生産ラインが5万枚、300mm生産ラインは1万8000枚に達するという。

　STの社長兼CEOであるCarlo Bozotti氏は「新工場は双方が持つ技術の優位性を補完し、コスト競争力のあるDRAM製品を手掛けるほか、NAND製品の開発にも共同で取り組む。これはSTがICパッケージ市場でのリーダー的地位をより強化するものである。この重要な技術は同じパッケージ内に複数のメモリーチップを積層するもので、メモリーの密度と設備の信頼性を高めると同時に、携帯電話機など家庭用電子製品および工業で応用される回路板のスペースを縮小することができる」と話す。また、同社の副総裁兼大中華地区総裁であるBob Krysiak氏は「新工場の稼働は低コスト、高品質のメモリー製品の開発に有利である」とコメント。STの上級副社長兼メモリー製品グループのジェネラルマネージャーのMario Licciardello氏は「300mmウェーハラインは、60nmSLC(シングル･レベル･セル)とMLC(マルチ･レベル･セル)のNAND技術から55nm以下のプロセスへ急速に移行している」とした。

　Hynixの董事長兼CEOの禹義済氏は「STとの提携と無錫市政府からの支援がなければ、無錫工場を設立することはできなかった。無錫工場はHynixが国際的なメモリーメーカーとしての立脚地になるであろう」と述べた。

方正、深圳150mmウェーハラインが稼動開始

　設計月産能力2万枚の方正の150mmウェーハラインが、先ごろ深圳で稼動を開始した。同社は、現在の生産ペースに基づくと、2007年には計画通りの生産能力に達するとしている。聞くところでは、2008年に第2期拡張プロジェクトが竣工すれば、生産規模は月産5万枚に達する見込みであるという。

　方正の150mmラインは電源、LDCドライバ、高周波通信、特殊メモリーチップなどを生産している。同社によると、同生産ラインは様々なプロセス技術を採用しており、世界の水準を上回っているという。

　2003年末、方正集団は深圳超科技と合弁で深圳方正微電子有限公司を設立した。

SMIC、Qualcommから1.2億ドルの受注を獲得

　中芯国際(SMIC)は先ごろ、ファブレス半導体ベンダー最大手である米Qualcomm社と契約に調印した。契約によると、SMIC天津工場はQualcomm向けにBiCMOSプロセスを採用したウェーハを年間5万枚のウェーハを生産し、受注総額は向こう3～5年間で1億2000万ドルを超えるという。

　Qualcommの受託生産を行うSMIC天津工場は、米Motorola社から購入したもので、さらに8億1000万ドルをかけて生産能力を拡大した。2007年から月産能力は1万6000枚増加し、3万枚に達すると見込まれている。

Intel、成都パッケージテスト工場第2期プロジェクトが竣工

　先ごろ、米Intel社成都パッケージテスト工場の第2期プロジェクトが竣工した。1年前に稼動を開始した第1期チップセット工場は、既に1880万個のチップセットを生産している。Intelのプレジデント兼CEOであるPaulS.Otellini氏は「Intelの生産施設と大規模な生産能力は、会社を成功に導く重要な鍵である。成都の先進的なパッケージテスト工場は、65nmプロセスを採用したIntelのCoreマイクロアーキテクチャーのマルチコアプロセッサを生産し、Intelのグローバルベースでの成功に重要な役割を果たす」と述べた。

　新たに竣工した第2期プロジェクトは成都の輸出加工区に位置し、マイクロプロセッサのパッケージテスト工場と機能が完備した訓練センターが併設されている。同プロジェクトの建設により、Intelの成都市への投資総額は5億2500万ドルに上った。新工場は来年にも稼働を開始し、従業員数も1300人に増加するという。

Kingston、深圳でDRAMパッケージプロジェクトを始動

　米Kingston Technologyは先ごろ、深圳のDRAMパッケージプロジェクトに投資すると発表した。同プロジェクトは既に同社の沛頓科技(深圳)有限公司(PaytonTechnology)により準備作業を進められており、初期投資は2億4000万元、竣工当年のwBGAチップの月産能力は1000万個という。

　沛頓科技は2004年に深圳で設立され、主にKingstonとその他DRAMメーカーにICパッケージテストのサービスを提供している。現在、DDR2チップの月間平均テスト量は1500万個で、2007年1月には2300万個に達する見込みであるという。Kingstonが沛頓科技を通じてパッケージプロジェクトを展開したことにより、沛頓科技は中国最大のDRAMパッケージテスト業者に躍進する可能性が出てきた。Kingstonが1999年に投資した台湾の力成科技(Powertech Technology)は、既に台湾最大のメモリーICパッケージテスト業者になったという。WendellP.Weeks氏は「ここに建設される工場は、絶えず成長する中国TFTLCD産業への我々のコミットメントを力強く示すものである」と述べた。また、Corning Display Technologies社長James P.Clappin氏は「今回のCorningの新たな投資は、世界で最も清潔なLCDガラス基板を供給する当社のリーディングサプライヤーとしての地位を強化するもの」とコメントした。

　Corningはこれまで、世界各地のLCD生産地域にガラス基板の後工程加工工場を設立した後、市場とクライアントの需要を踏まえた上で、その他プロジェクトに参与するかどうか判断するという戦略を採っている。

Corning、LCD用ガラス基板の後工程加工工場が北京で着工

　11月3日、Corning Incorporatedは北京でLCD用ガラス基板後工程加工工場の着工式を行ったと発表した。同工場は北京経済技術開発区に位置し、2008年上半期の竣工・稼動を予定している。

　Corningプレジデント兼CEOのWendell P.Weeks氏は「ここに建設される工場は、絶えず成長する中国TFTLCD産業への我々のコミットメントを力強く示すものである」と述べた。また、Corning Display Technologies社長James P.Clappin氏は「今回のCorningの新たな投資は、世界で最も清潔なLCDガラス基板を供給する当社のリーディングサプライヤーとしての地位を強化するもの」とコメントした。

　Corningはこれまで、世界各地のLCD生産地域にガラス基板の後工程加工工場を設立した後、市場とクライアントの需要を踏まえた上で、その他プロジェクトに参与するかどうか判断するという戦略を採っている。