2006年11月5日～8日にわたって米国マウイ島で開催されたInternational Trade Partners Conference(ITPC)では、大手半導体メーカーや製造装置メーカーが、コラボレーションの重要性、また提携、研究開発への資金調達および企業戦略において果たすべき役割について話し合った。特に、東芝セミコンダクター社社長、米IBM Systems and Technology Groupの研究開発副部長および米Albany Nanotechの会長による三者会談では、コラボレーションおよび資金調達の状況への洞察が述べられた。

　東芝セミコンダクター社社長の室町正志氏は、富士通、NEC、ルネサス テクノロジおよび東芝は45nm以降でULSIデバイスの製造に適用される標準プロセス技術を定義することに合意したと述べた。2007年初頭までに標準仕様を作成することを狙いとしており、標準化によってその他の企業のIPおよびライブラリへのアクセスが可能となる。また、同氏は、特にデジタルコンシューマ、携帯および自動車市場を重視して、世界第3位の半導体メーカーになりたいという意欲、またメモリー、システムLSIの個々のデバイスのポートフォリオを維持するという同社独自の計画を発表した。2006年の設備投資は3500億円で、2008年までの3年間の予想レベルでは1兆200億円になるとみている。東芝のNAND型フラッシュメモリー(図)市場の予測によると、2005年～2008年にわたってCAGRは150％を示している。

　プロセス技術では、東芝は2007年第4四半期に65nmの量産を開始する予定だ。同社は、ソニーおよびNECエレクトロニクスの開発提携先と45nm技術の開発を完了させる予定で、次に提携先のIBMおよびソニーとの32nm技術開発へ移行する予定である。

　IBM Systems and Technology Groupの半導体研究開発部副部長であるLisa Su氏は、技術革新と微細化の関係、共同事業の成功について議論した。同氏は、IBMのEast Fishkill工場、シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing社のWoodlandsキャンパス、韓国Samsung Electronics社のS1ラインの間には共通のGDSプロセスプラットフォームがあると述べた。エンドユースのコラボレーション例の1つとして、IBMおよびCharteredは米Microsoft社と直接事業をし、どのようにして24ヶ月の間に「Xbox」や「PS3」のマイクロプロセッサを量産まで持っていったのか語った。

　Su氏は、SOI、歪みSi、High-k絶縁膜、メタルゲート、Low-k絶縁膜およびCuを含むであろう45nmおよび32nmに関する技術ロードマップについて語った。22nmでは、極薄SOI、エアギャップ絶縁膜およびfinFETが含まれる。Ultra Low-k絶縁膜は、現行レベルの2.4から2.2および2.0(エアギャップ)まで拡張される。メモリー領域でさらに重点を置くのは、低コストおよび消費電力での高密度の積層構造またはメモリー代替案についてである。同氏は、6T SRAMに3～5倍の密度の効果に言及しながら、SOI埋め込みDRAMデバイスの断面を見せた。

　Albany NanotechのAlain Kaloyeros氏は、Albanyは現在、3つの別々のクリーンルーム施設を所有しており、1万5000平方フィート(1394m2)のクリーンルームを建設中である。施設に全部で3億4000万ドルかかる予定で、クリーンルームに15万2000平方フィート(14120m2)、その内の8万5000平方フィート(7897m2)は2008年の半ばまでに300mmになる。米AMD社、IBM社、独Qimonda社およびMicron R&D Centerは、2005年7月から5年にわたって5億ドルの投資を行うと語った。