Harmony XPは、DRAM用の300mウェーハ対応プローブカード。最新のテスターが持つリソース(384個以上のDUT：Die Under Test)を最大限に活用できるように設計されている。300mm 1GB DRAMウェーハをわずか2回のタッチダウンでテストすることが可能。
　高い並列テスト性を実現するために独自のスプリング形状「MicroSpring」を搭載した。カード上に5万本を超えるコンタクトを組み込むことを可能としている。MicroSpringプローブは、低コンタクト抵抗となっており、また、プローブカードおよびテストセルの利用効率を高めるために最小限のクリーニング頻度を実現している。また、シグナルインテグリティを劣化することなく、最小60μmのパッドピッチおよび最小55μmのパッドサイズに対応する予定。さらに、オプションにより最大300MHzまでのテスト周波数に対応することができる。

連絡先：米FormFactor社 www.formfactor.com

　仏SOITEC傘下のPicogiga International 社のSopSiC基板は、同社独自のSmart Cut技術を用いて多結晶SiC基板上にSi層を形成したGaNパワーデバイス用加工基板。低価格・低出力のGaN/Si基板と、高価格・高出力のGaN HEMTデバイス用GaN/SiC基板の中間に位置付けられる製品となっている。レーダーや衛星通信、基地局などの無線(RF)通信システムで用いられる高度な高出力デバイスへの使用が可能。欧州HYPHENプロジェクトでは、GaN/SopSiCの初期材料特性評価で優れた結果が得られたと発表している。
　SopSiC構造は、多結晶SiC支持基板、埋め込み酸化膜絶縁層、そして高抵抗<111>シリコンの表面層からなり、高抵抗<111>Si表面層はGaNエピタキシャル成長の種結晶層となっている。GaN成長は分子線エピタキシー(MBE)技術またはMOCVD技術を用いて行われる。
　現在、すでに直径75～100mmウェーハの試作サンプル提供を開始している。また、150mmウェーハも開発中。

連絡先：仏Picogiga International社 www.picogiga.com
連絡先：仏Soitec社 www.soitec.com