2007年4月号


Cover Story

ダブルパターニングで液浸リソグラフィの延命を図る

高開口数(NA)の液浸リソグラフィが思ったより期待できない現状で、半導体業界は、ダブルパターニングがウェーハ・ベースの光リソグラフィを延命する方策になるとして、この話題で騒然としている。


Features

ArFリソグラフィでhp45nmを実現する

Mark Slezak Ramakrishnan Ayothi Zhi Liu 米JSR Micro社 www.jsrmicro.com JSR www.jsr.co.jp

三次元統合を可能にするディープSiエッチング

Dave Thomas 米Aviza Technology社 www.avizatechnology.com

Industry Watch

半導体産業は大きな方向修正を迫られているのか

Moshe Handelsman 米Advanced Forecasting社 社長 www.adv-forecast.com

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SI Japan RESOURCE CENTER

アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
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