ナノインプリント・リソグラフィは、国際半導体技術ロードマップ(ITRS；hp 22nmとhp 16nmの解決策候補としてマスクレス・リソグラフィを推進した)の最新アップデート版で後方に押しやられていたのにも関わらず、米Molecular Imprints(MII)社は、その技術での新たな成果を発表した。同社は、次世代リソグラフィ(NGL)向け「Imprio 250」を有力なメモリーメーカーに出荷した。

　Imprio 250には、同社のナノインプリント・リソグラフィ技術であるS-FIL(Step and Flash Imprint Lithography)が組み込まれている。メモリーメーカーは、プロセス開発、32nmあるいはそれ以降におけるデバイスの試作において、初期の段階で同システムを採用すると考えられている。

　MIIは2003年以来20を超えるナノインプリント・システムを出荷してきたが、今回はCMOSのIDMに対して初めての出荷となった。同社は、これがCMOSのIDMに出荷された業界初のNGLシステムであると主張している。蘭ASML社のEUV露光装置(競合する技術)の最近の出荷は、IDMではなく、米Albany NanotechやベルギーIMECなどの研究センター向けであった。

　MIIによると、半導体業界における最新の成果に加えて、同社のS-FIL技術は高密度HDDや高輝度LEDなどの分野にも進出してきているという。