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Cover Story
45nm世代で不可欠な歪みSi技術
Siにストレスを適用する歪みSi技術は、コスト効果の高くリスクの低い方法と組み合わせることで次世代に対応する移動度の向上と駆動電流をもたらすことができる。45nm世代では、歪みSi技術が必要不可欠な方法となりそうだ。
Features
新材料導入に待った!Siのリエンジニアリングでゲートリークを減らし次世代に対応する
Robert J. Mears
米MEARS Technologies社
www.mearstechnologies.com
歩留まり向上に寄与するロードロックチャンバの排気時間の短縮
Chris Vroman,
Chris Quartaro,
Marshall Randolph
米Entegris社
www.entegris.com
EMC-3Dコンソーシアム：コスト効率が高いSi貫通ビア配線の実現を目指す
Bioh Kim
米Semitool社
www.semitool.com
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第19回テクニカルセミナー
「32nmを描くリソグラフィの選択肢
〜Double Patterningか？直描か？」
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〜SiP、TSVでイニシアチブを握れ〜」
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アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
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－モノづくりにおける意匠設計とそのデータ活用－
2008年07月31日ー2007年07月31日
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東京ビックサイト（東京）
