200mmの半導体真空製造装置のプラットフォームでパーティクル障害を管理するため広範囲に使われている方法としては、標準排気のあとソフト排気プロセスをいれた2段階方式の排気プロセスである。ソフト排気プロセスは、流量を最低にするため流量制限器を持った標準装備の第2のラインを使用して、チャンバ内に流れ出たガスがロードロック内で規定圧力に到達するまで行われる。これはパーティクルからくる障害を減らす上で助けになる。ロードロック内で指定された圧力に達すると、第2バルブが排気プロセスを完了するため作動し、そしてロードロックの圧力を空気圧にもどす。ロードロックのチャンバ容積により、ソフト排気段階が完了するまで数秒から数分を要す。

　この方式は実際のラインではよく用いられる。200mm装置の所有者が、ウェーハのスループットを増加させる必要がある場合、もしくは全体に装置の効率(OEE)を上げる必要がある場合に行われる。ウェーハのスループットに影響を与える多くの重要な要因が固定(例えば、プロセス時間、搬送ロボットの速度、そしてロードロックのポンプのスピードなど)されているので、ロードロックの排気にかかる時間は、ウェーハのスループットの律速要因となる。これは短いプロセス時間、もしくは2重のバッチロードロックが並行して動作しない場合に特に影響をおよぼす。一つの方法として、ガスの流速を上げることにより急激な圧力を供給することで達成される。しかしながらこの方法は、ロードロックが標準的な多孔性の材質のスクリーンを持つ場合、チャンバ入り口でのガスの速度は高くかつ不均一となり、結果としてチャンバ内に留まる望まれないパーティクルの障害をもたらす。

　排気に要する時間に対する懸念は、スループットが制限されない状況でも発生する。この場合、装置がより厳しいパーティクルの要求を持つ時、もしくはロードロック内のウェーハ上のパーティクルの発生が急上昇した場合だ。取り付けられたロードロック装置の標準的なパーティクル対策のアプローチは、ローダーを再度作り直すことを含めて、連続したウエット洗浄プロセスの追加、上流フィルタの交換、スクリーンディフューザの交換らである。

　前述のように、排気時間の顕著な低減による高い速度とパーティクル防止対策は、スクリーンディフューザもしくはフリットディフューザ(多孔質のガラス原料)で一般的に見られ、費用が高くつくようなことはない。高い流量を、メンブレンディフューザでは低い速度で達成することができる。メンブレンの中膜は、標準ガスライン、もしくはきめの粗いスクリーンと比べてより広い場所に向けてガスを均一に流すようデザインされている。図4は均一な流量を作るのに使用する別の部品との比較を示す。測定はガスが流れるだす出口の部品で超音波プローブを使用して行われた。結果は、メンブレンディフューザが、同じ流量の条件下でガラス材料もしくはスクリーンと比べてより効果的であることを示す。

　図5に円盤型のメンブレンディフューザの速度のプロフィールを示す。入り口で、1分間につき170スタンダードリットル(slpm)の流速に対して、入り口からロードロックチャンバまで、わずか３インチの距離で下流の速度は100ft/分未満である。

　エッチング、CVD、PVDそしてエピプロセスから得られたデータポイントを選択するとき、加算パーティクル(ウェーハ上で測定した)とロードロック排気時間をプロットした。ディフューザの利点を図1に示した。図は、期待することができると直感的に示している。ロードロックの排気時間が減ることによって、加算パーティクルは排気方式の違いにかかわらず増える。チャンバガードディフューザの取り付け後、排気時間と加算パーティクルに顕著な改善がみられ、図中のカーブが改善方向に移動しているのが見られる。