京都大学、東京エレクトロン、ロームの3者は、共同で実施してきたSiCパワーデバイスの研究開発において、量産型SiCエピタキシャル膜成長試作装置によるSiCウェーハの複数枚一括処理技術を開発した。 今回、SiCデバイスの高信頼性、高歩留まり確保に不可欠の要素である膜厚とドーピング濃度の高い均一性を実現したことで、安定したエピ膜成長を複数枚一括処理する技術を確立した。Fe、Cu、Naなどの不純物成分が0.1ppm以下の高純度成膜環境、0.13μm以上のパーティクルが60個以下の低パーティクルといった高品質エピ膜成長を実現した。また、シミュレーション技術によって、コイル形状やガス導入ノズルに新技術を盛り込んだ誘導加熱を用いて選択的にSiC基板付近のみを高精度に加熱制御するシステムを導入、高均一なエピ成膜と窒素ドーピングを実現した。

　今後はさらに共同研究を進め、結晶欠陥の低減や成膜の生産性を向上させ、高品質かつ低コストを実現したSiCデバイスの実用化を目指す。

（本誌）