米Luminescent Technologies社が半導体業界に変わったリソグラフィ強化製品を持ち込んだのは、2005年のPhotomask Technology Conferenceでの事であった。1年半前の当時、インバースリソグラフィ（ILT：Inverse Lithography Technology）は超解像技術（RET：Resolution Enhancement Technique）ソフトウェアを凌駕するものであり、65nmノードを終結させるものであると大々的に報告されていた^1）。

　今年2月末のAdvanced Lithography Conferenceで聴衆を沸き立たせた同社のILTであるが、今回、同社は最も斬新なILTの展開を発表した。45nmと32nmの複合クリティカル層における展開である。単にILTが最先端の光近接効果補正（OPC：Optical Proximity Correction）技術を凌ぐということだけではない。「これはILTが問題解決に有効だという最初の証明である」とLuminescent product marketing and business development部門バイスプレジデントLinyong (Leo) Pang氏は語る。「今後、弊社はどうやってマスク生産問題を解決していくかということに着手する」。

　事実上の繰り返し処理である通常のRETソフトウェアとは異なり、ILTはウェーハ上に望まれるパターンに直接着目し、数学的に逆演算を施すことで生産可能なマスクパターンを生成する。生成されたマスクパターンは極めて高い設計再現性と、最大限の許容プロセスウィンドウを実現する。

　Luminescentのデータは、ILTの評価を行ったさまざまなファウンドリや半導体メーカー（メモリーとロジック）から得られたもので、これまでのOPCを適用できなかったクリティカル層の領域で、ILTの新しい有効性が示されている。さらに、焦点深度の改善や保有コストの低減にもかなりの効果があることが分かった。5つの半導体製造現場に評価ツールが配置され、2つの同社製フルチップ「Luminizer」が導入された。それぞれ32nmと45nmの開発課題解決のためである。

　ILTによる優れたパターン再現性と広いプロセスウィンドウが報告されているが、その他にも45nmプロセスのポリシリコンおよび拡散層での線端短縮問題（Line-end Shortening Problem）の解決能力が示された。45nmノードでは、半導体メーカーはドライ露光装置の延命可能性を探っており、液浸への移行が遅れている。従来のOPCでは線端短縮問題を解決することができないが、ILTは45nmのポリシリコンと拡散層でプロセスウィンドウに余裕を持って転写することができる。