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MEMS NewsClip
[2007年07月号]2006年度の加速度センサーの世界市場、
前年比139.5%増の173億3000万円
矢野経済研究所は、2006年度における民生用加速度センサーの市場動向調査を発表した。これによると、世界市場規模は、数量ベースで前年度比224.7%増の1億1560万個、金額ベースは前年度比139.5%増の173億3000万円に達した。
このうち、2軸加速度センサーの市場 規模は、中国における携帯電話への採用が進み、数量ベースは3870万個、金額ベースでは42億5700万円に拡大。増加要因としては、カーナビやLCDプロジェクタなどの既存の需要分野が堅調に推移、携帯電話向けも好調に推移したという。
一方、3軸加速度センサーの市場規模は、ゲームコントローラへの採用されたことが大きく影響し、数量ベースで7690万個、金額ベースでは130億7300万円となった。同社では、出荷数量の50%近くがゲームコントローラ向けと推定しており、2006年度は金額ベース、数量ベースとも2軸加速度センサーの市場を上回った。
このうち、2軸加速度センサーの市場 規模は、中国における携帯電話への採用が進み、数量ベースは3870万個、金額ベースでは42億5700万円に拡大。増加要因としては、カーナビやLCDプロジェクタなどの既存の需要分野が堅調に推移、携帯電話向けも好調に推移したという。
一方、3軸加速度センサーの市場規模は、ゲームコントローラへの採用されたことが大きく影響し、数量ベースで7690万個、金額ベースでは130億7300万円となった。同社では、出荷数量の50%近くがゲームコントローラ向けと推定しており、2006年度は金額ベース、数量ベースとも2軸加速度センサーの市場を上回った。
TronicsとAMMS、高性能MEMS向け先端
DRIEプロセス技術を共同で開発
仏Tronics Microsystemsと仏Alcatel Micro Machining Systems(AMMS)社は、Deep Reactive Ion Etching(DRIE)システムを共同で開発すると発表。両社は、共同開発プロジェクトにおいて、高性能MEMSを作製するための次世代の先端DRIEプロセス技術の開発を目指す。
Tronicsは、同社のテストプロトコルを利用して、AMMSが開発するDRIE製造プロセスの評価・修正を行い、統計的プロセス制御(SPC:Statistical Process Control)へフィードバックする。このデータを基にAMMSは、高アスペクト比、高歩留まりなどを向上させた先端DRIE開発を進める。
Tronicsは、同社のテストプロトコルを利用して、AMMSが開発するDRIE製造プロセスの評価・修正を行い、統計的プロセス制御(SPC:Statistical Process Control)へフィードバックする。このデータを基にAMMSは、高アスペクト比、高歩留まりなどを向上させた先端DRIE開発を進める。
日本レーザー、日本電子から独立して経営を迅速化
日本レーザーは、日本電子の取締役会における決議を受け、2007年6月1日付けでJLCホールディングス(JLCHD)を設立し、JLCHDの100%子会社となることを発表した。同決議により、親会社の日本電子は連結子会社である日本レーザーの保有株式の一部を譲渡、日本レーザーは日本電子から独立することになる。JLCHDの株主構成は、役員持株会が53.1%、社員持株会が32%、日本電子が14.9%になるとしている。
日本レーザーは、2008年4月16日に迎える創立40周年を一つの節目として、経営のさらなる迅速化を図るため、以前からMEBO(Management & Employee Buy Out)によって日本電子からの独立を計画してきた。JLCHDの設立と同社完全子会社化によって、業界に特化した経営ノウハウを生かして、事業規模の拡大を図っていく。
なお、今後も両社の提携関係は継続し、監査役の派遣は継続するという。
日本レーザーは、2008年4月16日に迎える創立40周年を一つの節目として、経営のさらなる迅速化を図るため、以前からMEBO(Management & Employee Buy Out)によって日本電子からの独立を計画してきた。JLCHDの設立と同社完全子会社化によって、業界に特化した経営ノウハウを生かして、事業規模の拡大を図っていく。
なお、今後も両社の提携関係は継続し、監査役の派遣は継続するという。
松下電器、薄型かつ高耐熱性のMEMSマイクロフォンを開発
金属キャップでの一体型シールド構造を採用し、MEMSチップ、CMOSアンプと共にプリント基板に表面実装することによって高さ1.05mmの薄型マイクロホンを実現した。また、最大350℃の耐熱温度を有する無機エレクトレット材料を新たに開発、SiO2膜を絶縁膜にて完全に覆うことで、バリア層が形成され、バリア層への電荷の深いトラップにより耐熱性を向上させた。
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