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Cover Story
三次元Si貫通ビアが現実になる
三次元Si貫通ビアは、2007年の終わりもしくは2008年の初め頃には、フラッシュメモリーやイメージセンサーなどのデバイス製品に導入されるとみられている。コストと性能のトレードオフがさまざまなアプリケーションへの投入時期やフォームファクターを決定する。
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金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
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