ロードマップをみると、液浸リソグラフィとEUVリソグラフィの間には埋めなければならない技術ギャップが存在する、と同社新規事業部門バイスプレジデントのJeff Marks氏は述べる。　Motifプロセスはリソグラフィの後、エッチングの前に行われる（図）。形状サイズをシュリンクさせるため、フォトレジストを転写したホールとスペースの上に薄膜を塗布する。薄膜の厚さはシュリンクさせたい形状サイズと同じ。現行のリソグラフィ技術とマスク技術を使って、露光余裕度の最適化やゆがみを最小にするのに十分なパターンサイズでフォトレジストのホール＆スペースが転写される。プラズマ技術に基づいたこのシュリンクプロセスは、転写されたパターンを所望のサイズに縮小するため、リソグラフィ後、エッチング前に適用される。エッチング後、Motifで形成された薄膜はフォトレジスト剥離工程で除去される。

　現在行われているケミカルシュリンクのように、同社の方法は形状のみを縮小させるもので、ピッチは縮小できない。ただ、20〜30nm程度のシュリンクが限度であったこれまでのソリューションとは違い、Motifは大幅なシュリンクが可能であり、10nmコンタクトさえも実現できる。

　「我々が最も関心を寄せているのはDRAMやフラッシュなどのメモリー技術である。コンタクトホールのサイズを縮小することで恩恵を受けられるアプリケーションがある」（Mark氏）と述べる。

　複数の半導体メーカーは、歪みSi向けにスペーサを成膜するための技術を応用している。Lamのプロセスはよりシンプルで、基本的には室温で行える。同社は、Motifをダブルパターニングと統合すべくユーザーと共に取り組んでいる。

　ベルギーIMECのシリコンプロセス・デバイステクノロジー部門マネージャのSerge Vanhaelemeersch氏によると、IMECはLamと共同で、ウェーハ面内均一性3nm以下で広い露光余裕度を持つ40nmまで縮小されたコンタクトなど、30〜60nmのCDシュリンクを達成したという。「これらは、Motifが生産に必要な性能を有し、現行のリソグラフィを延命するのに有効であることを明確に示している」と同氏は述べる。

　Motifで形成された膜はプラズマ耐性を強化させ、パターンの縮小や搬送の際のラインラフネスや変形を減らすことにつながり、次世代リソグラフィと同等以上の優れたCD均一性をもたらす。さらに、パターンの形状サイズに合わせて調整することも可能となっている。