大気中のヘイズは、レンズもしくはマスク上にあるヘイズと同じく、パーティクルからの光散乱の原因となる。おおよそ大気中にある微小パーティクルの50％は、空気中に浮遊する二酸化硫黄（SO₂）とアンモニアから作られた硫酸アンモニウムである。¹⁰）SO₂は天然（火山活動とか植物性プランクトンからの放出）および人工（化石燃料の燃焼）の源から大気中に放出される。アンモニアは自然界における生物の廃棄物である。太陽光、オゾン、水蒸気からのエネルギーと組み合わされて、気体の硫酸アンモニウムは大気圏上層部に形成され、パーティクルを作ってすぐさま下に落ちてくる。これらと同じAMCがマスク周りに存在し、ArFの光子は硫酸アンモニウムの形成を導くエネルギーを供給する。大気中SO₂とアンモニア濃度は、地域的および季節的に顕著に変化し、ファブからファブそして長期的にそのような種の変化を管理することは大変である。¹¹）硝酸アンモニウムは、大気中に存在する第2の最も一般的な無機の微小パーティクルであり、硫酸アンモニウムと同じようなパーティクルを形成する。大気中にある有機微小パーティクルのうち、カルボン酸は一般的な成分であり、シュウ酸はこれらのうち最も一般的なものである。¹²）

　有機のヘイズは、マスクの最初の露光の間に引き起こされる微小な欠陥として現れる。欠陥密度は最初は高いが、追加露光により減少する。欠陥の寸法は、リソグラフィにより露光したものより通常は微小であるが、歩留まりを悪化する原因になる。スモッグは有機物ヘイズに最も良く似た物質である。空気中の揮発性有機物は紫外線（UV）とオゾンの放出により一体化し、半透明パーティクルを形成して堆積する有機化合物をつくる。レチクルの場合は、有機化合物の源は、ファブ内で起こるプロセス起因の源と同様で、ペリクルと保存用容器の材料である。硫酸アンモニウムと同様に、参照用のプレート試験においてファブのなかの露光しない条件下で、フォトマスク上の有機物汚染が顕著に増加した。これらのテストでペリクルとマスクケースからのガス放出マテリアルが確認された。ケースの供給者は汚染レベルを低減したが、特にレチクル用の容器とストッカにさらなる改善が必要とされる。

　大規模ウェーハファブでのヘイズの管理は重大な懸念事項である。ヘイズは通常マスクの検査で検出されるが、最悪の場合には結果的に歩留まりへの損失を与える。ArFリソグラフィにおいては、ヘイズは固有の問題であるため、多くのファブは汚染に対して、たとえば時間経過もしくは露光ベースのマスク検査などいくつかの対策をとった。ファブにとっては物流に対する懸念が生じるが、疑いのあるレチクルは、洗浄のためにマスクショップに返却される。量産ラインを維持するため、同一レイヤーの複数のレチクルがしばしば作られ、それはコストと複雑さを増加させることになる。

　従来のマスク検査は、レチクル使用者にとって問題となるヘイズの種類に対して適当な特性評価がなされていなかった。新しいペリクルで防止し、マスクは通常ファブに返却するために迅速に洗浄されなければならない。このことは、欠陥を評価し、根本的原因を理解し、そして是正措置を作り出す上での制限となる。なぜなら各々のヘイズの種類は独特の化学物質から作り出されており、いくつかの手法で欠陥の種類を同定することが必要とされる（表3）。ミクロン以下の領域で空間分解能を提供する飛行時間型2次イオン質量分析法（TOF-SIMS）とマイクロ・ラマン分光法が、欠陥の化学的性質を決定するのに使用される。より微小な欠陥に対しては、新たな手法が分子構造を同定するのに必要とされるだろう。　

　ArFマスク上の硫酸アンモニウムのヘイズを防止するため、マスクメーカーは、従来のピラニア洗浄から硫酸なしのレジスト剥離と、オゾン水（10〜100ppm O₃）、水素添加水（1〜10 ppm H₂、pHを維持するため少量のNH₄OHを加えた）、O₂プラズマアッシング、そして172 nmのUV露光を含む、最終洗浄プロセスに移行している。図5に、硫酸を基にした、そして硫酸なしのプロセスの典型的な剥離と洗浄フローを示す。^14）15）先端の剥離/洗浄装置は、洗浄効果を最大化するための枚葉プロセスとスピン噴射機能を持つ。

　この移行は重大な技術的挑戦をもたらす。オゾン水（O₃：H₂O）は化学反応により有機物の汚染物質を除去するが、剥離率は比較的遅い。通常化学反応を加速するのに使われる高温度は、単純にオゾンを分解する。したがって、O₃：H₂Oは薄い有機物層を除去することができるが、特にエッジビーズ（基板端面などに付着した）の厚いレジスト膜、もしくはドライエッチにより硬化したレジストなどのバルクのレジスト剥離に対しては適さない。

　O₃：H₂Oへの露出の拡大は、Crレイヤーの反射防止膜層上部にダメージをあたえるため、オゾン濃度はダメージを与えないで適切なレジスト剥離率を保つよう最適化されなければならない。広い動作範囲を持つために、レジスト剥離プロセスは、O₃：H₂O（172 nmのUV露光が支援する可能性を持つ）によって除去できる薄いレジスト層を残したうえで、レジストの大半を除去するプラズマによるレジスト剥離が必要とされる。ペリクルの交換は、厚い有機物の除去等のその他の問題を有し、ペリクルへの密着性が全く頑強な場所で、完全に除去するために溶剤かピラニアが必要とされる。

　O₃：H₂Oの遅い有機物除去率は最終洗浄においては、より小さい問題であり、その他の手法（例として高温の純水でのリンス、ベークもしくは172 nmのUV）が硫酸の濃度を低減するのに使われる。高温の純水はこれらの代替手法の中で最も効果の上がる方法であるが、O₃：H₂Oでピラニア洗浄の代替とすることは期待できない。

　各技術ノードで許容できる欠陥寸法は微小化しており、微細な最小欠陥を除去する必要性も高まっている。なぜならSRAFは、特に棒状の欠陥が散乱してい、最大許容範囲の欠陥としてはおおよそ同じ寸法であり、PREを最大化する間、SRAFのダメージを回避することが重要である。メガソニック補助の洗浄（高度マスク洗浄分野では主としてスプレーを使用）はPREを高めるためによく使用され、そしてメガソニック補助の洗浄は微小寸法に対してダメージが少ない。より高いメガソニックの周波数（通常〜3MHz）は微小な亀裂を発生させ、それゆえにより小さい衝突エネルギーを持つ、より低い周波数（〜1MHz）が必要とされるので、PREは弱まることになる。洗浄装置メーカーはSRAFダメージを最低化（2重周波数を持ち、裏面からのメガソニック動作でスプレー角度を傾かせた装置）してPREを維持した高度な手法持つ洗浄装置を提供している。

　枚葉式スピン/スプレーの洗浄装置の使用は、漬浸式をベースにした洗浄装置で見つかっていない、その他の課題を持つ。マスクのエッジは、化学薬品への露出が低いため除去が困難な有機物汚染の多くの問題を抱える場所である。問題解決のひとつの手段としては、ポリ酢酸ビニル（PVA：Polyvinylacetate）のブラシとO₃：H₂Oを重ね合わせて使う方法と、もしくはアッシング時にこの部分に直接プラズマをあてる方法がある。プレートの裏面は洗浄化学薬品に意図的にさらされないので、新しい装置は両面を洗浄するためプレートを裏返すようになっている。これはまた高温の純水で裏面をリンスすることができる。