Technology News

WAFER PROCESSING

生産性とリーン生産に新たな注目集まる

[2007年11月号]

By Peter Singer
この記事を :  印刷する プリントする ブックマーク  はてなブックマークに登録 この記事をクリップ! Buzzurlにブックマーク Yahoo!ブックマークに登録 メールで送る メールで送る

図 IntevacのLean Etchシステム。中央搬送を持たず、チャンバを3つもしくは6つ備えたタイプがある。Kevin Fairbairn氏によると、同装置はファブ内の余分なスペース、メンテナンス時の閉鎖、プロセスチャンバやウェーハ処理プラットフォームへのアクセスが悪いことなど、クラスタ装置が抱える問題にも対応したデザインになっているという

 450mmウェーハへの移行を早急に求める声があるにもかかわらず、装置やファブの生産性を向上させることで、その必要性を遅らせることはたくさんある。これはSEMIや、多くの装置サプライヤからのメッセージである。

 SEMIプレジデントのStanley Myers氏は、「次世代では技術に大きく焦点を絞っていくことが不可欠」と、SEMICON West 2007で述べた。「資源は限られているので、我々の業界はファブの生産性を最大にする方法を最優先にすることが重要である」。300mm Primeと総称される現在のイニシアチブは、ファブ所有者がR&Dへの投資収益率(ROI:Return on Investment)を最大にできるような次世代ファブアーキテクチャを明確にすることが狙いだ。「このような試みから利益を得られた後にウェーハを大口径化することが理にかなっていると思う」とMyers氏は述べる。「今後、基板サイズが移行するかもしれないが、おそらくそれは2020年以降になるだろう」。同氏は、新しい基板が450mmのSiウェーハになるか、あるいは他の材料になるかは五分五分だと述べる。「ウェーハサイズの他にも、差し迫った課題や生産性投資の手段が多く存在する。大口径ウェーハの早期導入についてはチップメーカーの間でも意見が分かれているようだ。我々は、不確実な経済モデルから予想からウェーハサイズの移行を求める声が上がることを懸念している」。

 米Intevac社のプレジデント兼CEOのKevin Fairbairn氏は、ファブと装置アーキテクチャは維持できないでいる、と指摘する。「1990年代初頭、ファブは1ヵ月当たり2万枚あるいは4万枚のウェーハを処理する大規模タイプであった。当時、企業はチャンバを備えたクラスタ装置を2〜3台購入していた。今では、ファブは1ヵ月当たり10万枚規模でスタートするが、ファブの構成は大きく変化していない。その結果、ファブの装置が増加した」。Intevacは最近、トヨタ生産方式を基にした「リーン生産方式」を実現するという新しいエッチング装置を発表()。「典型的なCMOSウェーハのファブには約300のプロセスステップがある。例えば、各工程に3分費やすと15時間にもなる。それが半導体ウェーハ製作にかかる時間になる。それに比べて半導体業界はサイクルタイムが速い。企業によって8日から4週間まで幅がある」とFairbairn氏は述べる。

 米Brooks Automation社プレジデントのEd Grady氏は、すべての工程がますます困難になり、ファブ当たりに必要な装置が増大していると述べる。「今日の製品ライフサイクルは短い。つまり、300mmファブに投資する場合、消費者のニーズや新製品に合わせてファブの製品を変える必要がある。300mm Primeは自動化の観点からこれらの課題に取り組んでいるが、ファブをより効率化するために300mmではどのような方法があるだろう? 300mm Primeには延命の余地があり、半導体装置メーカーが新技術に対していつ投資すべきなのか、影響を与えるだろう。また、それらの技術は、企業の収益性や長期的な投資にも影響を与える」。

 Fairbairn氏はクラスタ装置のコンセプトは時代後れであると述べる。「我々の装置の場合、6つのチャンバ分のフットプリントは3〜4つのチャンバを搭載した従来クラスタ装置1台分のフットプリントとほとんど同じで、スループットを50%向上させた」と同氏はいう。「超高スループットの装置を設計するつもりはなかった。我々が目指したのは、ボトルネックや無駄な時間を省いた装置で、その結果、高スループットシステムが生まれた」。



この記事を :  印刷する プリントする ブックマーク  はてなブックマークに登録 この記事をクリップ! Buzzurlにブックマーク Yahoo!ブックマークに登録 メールで送る メールで送る

SI Japan RESOURCE CENTER

アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
資料一覧を見る
この資料をダウンロード

EVENTS