Process

[2007年11月号]

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●High-kゲート絶縁膜形成用装置
 Trias High-k CVDは、東京エレクトロンの300mmウェーハ枚葉クラスタープロセス対応のHigh-kゲート絶縁膜形成用装置。同装置は、「Triasプラットフォーム」をベースに、新たに開発した界面酸化膜形成用チャンバ「UVRF」およびHigh-kゲート絶縁膜形成用チャンバ「High-k CVD」を搭載、さらに既に実績のあるプラズマ窒化チャンバ「SPA」およびアニールチャンバ「LPA」を加えた4チャンバの基本構成となっている。
 高温CVDプロセスによる高品質なHfベースのHigh-k ゲート絶縁膜の成膜が可能で、膜厚と組成の優れた面内および面間均一性を実現する。UVRFによる極薄界面膜形成の膜厚制御性とスケーリング対応能力を有しており、高いスループットと低ランニングコストを実現している。また、連続ランニング試験により、プロセスとハードウエアにおける高い信頼性や安定性を実証しているという。

連絡先:東京エレクトロン
www.tel.com/jpn/index.htm

●LCDドライバ用COFボンダー
 COF-1000は、LCDドライバ用のCOFボンディング装置。光学プローブおよびリニアモータによってXYテーブル分解能を向上、高精度ボンディングを実現している。また、高速画像処理システムおよび「Shinkawa NRS」技術によって高スループットを実現。熱共晶による熱圧着方式を採用しており、HEPAフィルタを標準搭載している。可動ケーブルのフラットケーブル化により、クリーン度を向上させている。タッチモニターの採用によって操作性も向上している。

連絡先:新川
www.shinkawa.com/index.html



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