EUVの開発競争は進んでいるが、本当に間に合うかは分からない。液浸リソグラフィとダブルパターニングを組み合わせることでArF（193nm）リソグラフィの延命を図るというのが業界のコンセンサスのようだが、両方がうまく機能しなかった時のリスクは大きい。米Molecular Imprints社（MII）は、同社インプリントリソグラフィ技術「S-FIL」を東芝セミコンダクター社が22nmノードCMOSプロセスの開発に採用し、有効性を実証したと発表した。東芝は、MIIのステップ＆フラッシュ・インプリントリソグラフィ装置「Imprio 250」を用いて18nmのナロートレンチ構造の作成に成功したとしている。MIIの発表では、東芝は、解像性、欠陥、オーバーレイ制御について、従来製品よりも性能が大幅に向上していることも確認したという。

　独Vistec社（旧Leica Microsystems Lithography社）は、この10月にマルチ電子ビーム（EB）のIPを取得したと発表した。高スループットのEB直描技術およびマスク描画技術の開発に適用するという。EBリソグラフィでは、富士通とアドバンテストは、すでに65/45nmプロセス技術とEB描画装置を組み合わせ半導体の試作を行う合弁会社イー・シャトルを設立している。

　各社が懸念するのは、いったいどのようなデバイスをどのくらい大量に生産するのかだ。メモリーなのか、先端ロジックなのか、しかもそれを300mmウェーハでどのくらい生産するのか。これにリソグラフィ技術の選択はかかってくる。台湾TSMC社はEBマルチビームを搭載した装置開発を進めているとされる。また、米Intel社は一頃よりEUV開発にあまり積極的でないようにもみえる。さらに、EUVAの活動でも見られるように、装置および光源のみならず、周辺インフラも含めて開発を進める必要がある。これらは半導体メーカー、装置メーカー単独では実現できない。リソグラフィ工程の統括的な見直しと業界全体の議論が求められている時期であろう。