32/20nmの実現にチャレンジ、新規分野の事業開拓も強化

　2007年は、DRAMとNAND型フラッシュメモリーの需要増に伴う設備増強および微細化投資が牽引し、半導体製造装置市場は約10％の成長が見込まれている。当社としても昨年発表したコータ/デベロッパ、プラズマエッチング装置などの新製品がいずれも順調に立ち上がり、お客様の工場で量産展開できたことや、社内のモノづくり改革（品質向上、納期短縮など）が進展したことによって、売上高、営業利益、営業利益率ともに過去最高を達成する見込みである。また、2008年はNAND型フラッシュを中心に、再びメモリーの設備投資が盛り上がっていくと考えている。2008年の新製品の1つに、2007年10月から受注を開始したHigh-kゲート絶縁膜形成用装置「Trias High-k CVD」がある。本装置が提供する技術によって、ゲート絶縁膜材料は長年使われてきたSi酸化膜（SiO2）から新材料（High-k絶縁膜）に置き換えることができ、これによって次世代トランジスタの課題であったゲートリークの問題を解決し、さらにデバイスの低消費電力化と高速化を追求することができる。2008年はさらに技術開発を強化し、ユーザーニーズに応え得る高品質で高生産性の次世代向け新製品を市場に投入していく。現在の注目技術としては、ダブルパターニング技術となる。当社はレジスト塗布現像装置、エッチング装置、洗浄装置、枚葉成膜装置、測定装置などの総合力を持って、現在、もっとも注目されている微細加工技術、ダブルパターニング技術を開発･提案している。また、ニューヨーク州が推進する先進的な半導体プロセスの研究開発プログラムでも45nmや32nmノードにおける世界最先端の開発を行っている。さらに、新規分野の開発強化や事業化の検討なども積極的に行っていきたい。

　今年のSEMICON Japan 2007では、”最先端技術”と”高生産性”をテーマに新製品を数多く取り揃えている。また、ダブルパターニングを中心に、新技術に関する当社の取り組みを100インチビッグシアターで紹介する。さらに当社の20nm世代に向けた新たな挑戦にも期待していただきたい。

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次世代メモリー向けプロセス装置の開発強化と生産性向上に注力

　2007年は、DRAM、NAND型フラッシュメモリーの積極的な投資に支えられ高い伸びを記録、当社の業績も概ね好調であった。主力のメタライゼーション装置「ENTRON」、ケミカルドライ前処理装置「RISE」が貢献した。LEDの量産に対応するドライエッチング装置「NE-950」に注力した結果、ユーザーの支持を得てシェアを伸ばすことができた。また、太陽電池市場の拡大に対して、薄膜太陽電池のターンキーソリューションを提供し、新規の大型受注を獲得した。

　2008年は、NAND型フラッシュやCMOSイメージセンサー、パワーデバイス、MEMS、車載デバイスが市場を牽引して堅調な伸びを示すと予測している。当社は、微細化のトレンドに向けフロントエンドからバックエンド、そして不揮発メモリー(PRAM、RRAMなど)までをカバーするENTRON、RISEによるソリューションの提供に一層の注力をしていく。

　今後は、半導体製造装置ビジネス戦略として市場を睨みながら次の4製品を基軸にビジネス展開していく。（1）30nm世代メモリー向けCu配線技術、新材料・微細化対応技術、低コスト、高生産性を追求する「ENTRON EX 300 Cu」、（2）デバイス特性や歩留まり向上に貢献する、ケミカルドライ前処理と電極膜のIn-situ連続プロセス装置「ENTRON EX W300 CDT」、（3）HFウェット処理に置き換わるケミカルドライ前処理（自然酸化膜除去）装置「RISE-300」、（4）高スループット・省スペースを実現したLED量産用ドライエッチング装置「NE-950」。

　アルバックは、半導体装置事業本部、電子機器事業部が連携して、薄型パワーデバイス向けソリューション、3次元実装向けソリューションを提供している。裏面スパッタ、イオン注入、ドライエッチング装置のラインナップを充実し、ユーザーのニーズにきめ細かく応えていきたい。環境技術の分野に関しては、薄膜太陽電池のターンキーソリューションを提供。各種製造装置の省エネマネジメント機能、付帯設備（チラーなど）の節電設計にも注力する。グループのアルバックテクノ、アルバックマテリアルが提供する再生洗浄、コーティングの技術を含め、ユーザーに独創的な技術を発信して、確実なサービス、サポート体制を提供する。

　今年のSEMICON JAPAN2007では、ENTRONの次世代対応キーコンポーネント、搬送機器の実機展示、NE-950の実機展示、薄膜太陽電池とMEMS関連装置のパネル展示を予定している。