高度な計測技術で業界をリード、45nm以降の技術開発にも貢献

　米Keithley Instruments社は、半導体の電気的な試験評価ソリューションをひとつの大きな事業分野として位置づけ、半世紀以上にわたってピコアンメータやエレクトロメータなどによる高感度計測をリードしてきた。現在でも先端的な半導体材料・デバイスの高感度自動計測・評価がコアテクノロジとなっており、次世代のプロセス・デバイス開発や信頼性技術開発、日本の半導体メーカーや研究所などで広く活用されている。

　その中で2007年後半には、半導体測定向けとして直流の電圧や電流を高感度（1fA分解能）高速に測定する「2635/36型ソースメータ」を発売、またこれらをシステムコンポーネントとする統合テストシステム「ACS」（自動計測ソフトウェアプラットフォーム）も発売した。さらに、直流、パルスでのI-V（電流-電圧）測定ソリューションとしてすでに定評のあるオールインワン型の「4200半導体特性評価システム」にC-V（容量−電圧）測定ソリューションを加えて、この分野での広範な計測ニーズに応えている。

　半導体前工程でのプロセスモニターのソリューションである「S680パラメトリックテストシステム」では、TEGを並列に同時測定して試験スループットを大幅に改善できることを実アプリケーションとして証明。その簡明なシステムアーキテクチャの卓越性が大きく寄与している。

　当社では、研究開発から製造試験までをカバーする各種測定器・システムの先進ソリューションを提供し、半導体業界の発展を側面から支援している。今後も高感度の半導体計測技術で世界をリードし、45nm以降の微細な半導体技術開発に貢献し、計測業務の効率を上げて市場投入を加速するソリューションの提供に尽力していきたい。

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柔軟性と制御技術が先端ウェーハ洗浄技術のカギとなる

　今日、半導体メーカーは新しいデザイン、材料およびプロセスを導入しながらプロセス性能を向上させ続けなければならず、さらに同時にコストを最低限に抑えなければならない状況だ。45nmプロセスを立ち上げるには、柔軟性と低いCoOの実現が先端技術成功のカギとなるだろう。先端プロセスの課題としては、ダメージを与えない洗浄技術の実現が挙げられる。微細化により特にFEOLでは、洗浄プロセスで発生するコンタミネーションやダメージが懸念される。当社は、「Confined Chemical Cleaning （C3）」技術を開発した。高アスペクトレシオを持ったパターンにおいても高精度の洗浄を可能にした。

　先端プロセスに対応するイノベーティブなソリューションを創出するには新しい戦略が必要だ。ウェットおよびプラズマによるウェーハ洗浄技術で当社がなし得たように、装置メーカーはコア技術を拡張させ続けることをやめないだろう。

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2008年は新たな技術経営戦略の船出の年
ベンチャー支援、海外展開、異分野への進出を図る

　2007年の半導体市場は、東芝などのメモリー系、そしてSiウェーハメーカーの2つの活発な投資に牽引された1年となり、弊社もこの動きに対応した営業が続いている。弊社では、2007年8月にMEBO（Management and Employee Buyout）による業態変革を実行した。それまでは当社の技術経営戦略は米国パートナーの世界戦略との調整の中で進められてきたが、これからは弊社独自の技術戦略により進めていくことが可能となった。今後は特に少量多品種や各テクノロジーノードの国内半導体メーカーからのさまざまなニーズに、よりきめこまかく対応する体制を強化する。

　2008年は、通常なら民生品の需要拡大が見込まれるところであったが、サブプライムローン問題顕在化により、家電製品の最大市場である米国での一般消費需要が停滞してくることで、半導体需要にも影響するものと思われる。

　現在もっとも注力しているアプリケーションの１つに、昨年リリースした「ViPR」プロセスがある。これは弊社特有のバッチ式スプレー洗浄システムを用いて、SPMベースの薬液をウェーハ上で約200℃まで高温化し、アッシングを用いずに高ドーズイオン注入されたフォトレジストを剥離する技術だ。近年は、DRAMにおけるデュアルPolyゲートへのプラズマを使ったイオン注入（PLAD）に代表されるように、イオン注入技術もさまざまな手法が開発されている。レジスト剥離プロセスに対するニーズがますます高度化している背景もあり、現在弊社岡山技術センターにてプロセス開発に力を注いでいる。

　近年になり、最先端のFEOLでは厳しいプロセス管理が求められ、窒化膜と酸化膜のエッチングを高い選択比で高精度に制御するニーズが出てきた。当社では「Si濃度モニタ」を開発し、リン酸中のSi濃度を正確に測定できるようにしており、連続式リン酸再生・エッチング制御装置「NISON VESPER」と組み合わせる事で今まで以上の高度な選択比制御が可能なシステムの提案を始めた。すでに一部のユーザーで最先端デバイス向けにSi濃度モニタを搭載したNISON VESPERの評価を開始している。今後は、これらの評価を受けて拡販を図っていく構えだ。

　SEMICON Japan 2007そして業界の2008年を見据えると、45nmが量産展開され始めている現状を踏まえ、メタルゲートの採用、ゲートまわりのマテリアルロスの低減、微細化に伴うパターンダメージ制御、BEOLでのさまざまな疎水性面への対応などが今後の洗浄技術を開発するにあたりキーファクターになると考えられる。半導体最終製品では、特にNAND型フラッシュメモリー、DRAM、CMOSイメージセンサーの技術動向および市場に注目している。

　当社の変わらぬ経営戦略は多角化であり、その一つとして国産の洗浄装置の海外展開を睨む。また一つには半導体以外の分野への進出もある。さらに技術ベンチャー経営支援事業にも参画する。2008年はMEBO実施による新たなパートナーの経営知見を加えて、近い将来のIPOに向けた新たな『技術経営(MOT)』の歩みの初年度と位置づけている。そしてMEBOの実施と新しい経営の船出をシンボリックに体現してゆくメッセージの一つとして、2008年1月からアプリシアテクノロジー株式会社へ社名を変更する。

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インプリント・リソグラフィで躍進、
半導体やHDD向けにビジネスを展開

　2007年、Molecular Imprintsは大きな躍進を遂げた。半導体市場やディスクドライブ市場でインプリント・リソグラフィを展開するなど、市場と技術の双方でリーダーとしての地位を確立した。ソリッドステート型や回転式ディスク型を含む、あらゆるタイプの不揮発性記憶媒体を対象とした30nm未満のパターニング・ソリューションにおけるリーディングカンパニーであると自負している。

　2007年第3四半期には、HDD市場向けに大面積・高スループットのパターニング装置「Imprio 1100」を新たに発売した。同装置は、独占技術の「Drop-On-Demand」を採用し、25nm未満のパターニングを実現している。第4四半期には、「Micro and Nanoengineering（MNE）Conference」において、東芝セミコンダクター社が当社の「ImprioR 250システム」を使用して、最小18nm線幅のフラッシュメモリーデバイスのナロートレンチ構造を形成する方法を発表した。当社のS-FIL（ステップ＆フラッシュ・インプリント・リソグラフィ）技術は、次世代HDD「パターンドメディア」に採用されている。インプリント・リソグラフィは、極めて高い分解能を低コストで実現できる可能性があり、さまざまな利用が検討されている。高輝度LEDのメーカーが当社技術を検討している他、光学部品、バイオテクノロジー、MEMSなども潜在的市場として期待される。

　半導体市場は、2008年以降もメモリー搭載型の家電製品の多様化や容量化に牽引される形で、今後も著しく成長していくと思われる。当社は今後も、商用ICとディスクドライブ用装置のスループット向上に取り組むことで、低コストのソリューションを強化していく。我々の半導体向け装置は、実用レベルで30nm未満の解像度を実現でき、EUVなど競合する代替技術を大幅に先行している。当社は引き続き、こうした既存のインフラをベースに開発を行っていく。

　なお、今年のSEMICON Japanでは、サプライヤーとともに30nm未満パターニングの包括的ソリューションの現状について紹介する。また、12月7日に行われるリソグラフィ・セッションにおいて論文発表を予定している。

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コンシューマ時代に突入する半導体業界

　2006年の半導体市場は前年比18％増と活況であったため、2007年は前年比12％と緩やかな伸びが見込まれる。業界アナリストの声を聞くと、2008年は2007年と同様の伸びが期待できるようである。

　ここ数年で一番大きく変わったのは、この業界が製造する製品のアプリケーションではないだろうか。1990年代以前は、半導体業界は企業のITインフラへの投資、PC、第2世代携帯電話、そして一部自動車用などで支えられていた。過去数年のうちに、半導体市場は"Consumer Age" (コンシューマ時代)に突入した。多機能化する携帯電話や携帯電子機器、PDA、そしてインターネット接続はどこでも可能で、さらには先端のゲーム機が家庭に普及している。しかも、それだけではないだろう。近年の自動車にとって搭載される電子機器の価値は大きい。さらに、人口の大きな諸国にとって携帯電話など低価格のコンシューマ製品に対する需要も巨大だ。これにより、半導体市場の特質も変化し、クリスマスなどの季節的な要因、極めて短い製品サイクル、強いコスト競争などの影響を大きく受けるようになった。この一番いい例といえるのが、いくつかのMEMS (Micro Electrical Mechanical Systems)モーションセンサーのトレンドだろう。3年度ほど前にはこれらのセンサーは大きなパッケージで提供されていた。自動車安全用途に使用するためには高価でもあった。デバイスメーカーがQFNなどの極小さなパッケージでこれらの製品を製造できるようになり、価格は1ドル以下となる。現在では、携帯電話やゲーム機などに搭載され巨大なMEMS市場を構築している。

　"Consumer Age" (コンシューマ時代)への移行は、半導体メーカーおよび製造装置メーカーにとっては、チャレンジであると同時にエキサイティングな新しいチャンスでもあるだろう。