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[2008年04月号]

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45nm対応のフォトマスク
欠陥修正装置

　45nm対応のフォトマスク欠陥修正装置「SIR-7」は、修正精度4nm以下（3σ）を実現しており、修正精度は従来の7nm（3σ）から4nm（3σ）への向上を実現。低加速型イオン・ビーム鏡筒の採用により、高精度かつ低ダメージの修正が可能。半導体レイアウト設計で用いられるEBの図形データから欠陥箇所の正常なパターンを抽出し、欠陥箇所と重ね合わせることにより、正常なパターンに近い形状で修正することが可能。また、フォトマスク用SMIF搬送機構を採用し、フォトマスクへのパーティクルの付着を防ぐことができる。

連絡先●エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）
TEL：03-6280-0061
URL：www.sii.co.jp

半導体用フォトマスク
欠陥検査装置

　半導体用フォトマスク欠陥検査装置「MIS-1303T」は、高速・高感度Die-DB検査が可能で、CD欠陥を敏感に検出することができる。オフラインレビュー（検査と同時処理の場合はクラスタPCが別途必要）を行うことができ、オプションによりDieとDB検査領域の混在検査も可能である。130nmデザインルール（最小検出欠陥サイズ：180nm）に対応している。

連絡先●（株）高岳製作所
TEL：03-5276-0591
FAX：03-5276-3181
URL：www.takaoka-ele.com

HS型ケミカルフィルター

　基材を活性炭としたハニカム構造体の成形に成功し、フィルタメディアをハニカム構造にすることで圧力損失を極めて低く抑えることができる。これにより、外気処理用あるいはFFU搭載用としても利用することができる。処理する風速に応じてメディアの厚みを変えるため、省スペースでの設置が可能。Cu配線に悪影響を及ぼす物質として代表的な硫化水素の除去に適している。ハニカム構造は比表面積を大きくとることができるため大容量に使うことができる。

連絡先●（株）ダン・タクマ
TEL：03-3488-1111
FAX：03-3488-1118
URL：www.dan-net.com

ダブルパターニング用
EDAツール

　ダブルパターニング用EDAツール「Tachyon DPT」は、リソDPTやスペーサDPTなどの代表的なダブルパターニング技術を支援し、チップ全面で矛盾のないパターンの分割、モデルベースOPC、モデルベースつなぎ補正およびパターン密度の自動的バランシングなどを行うことができる。既存のSMO（Source-Mask Optimizer）機能と共に、22nmデバイスの開発や製造を可能にするソリューションとなっている。

連絡先●ブライオンテクノロジー（株）
TEL：03-5298-1561
URL：www.brion.com

位相差/透過率測定装置

　位相差/透過率測定装置「MPM193EX」は、既存モデル「MPM193」と比べて、光源を重水素ランプから高出力ArFエキシマレーザーに変更、測定再現性を2～5倍向上。主に、位相シフトマスクの位相差測定、ハーフトーン型位相シフトマスクの透過率測定などに利用できる。ペリクル付きマスク測定に対応し、1μm以下の微小領域での位相差測定が可能。オートローダー及びケミカルフィルター付きミニエンバイロメントを標準装備、オプションでマスク欠陥レビュー機能を付加できる。

連絡先●レーザーテック（株）
TTEL：045-478-7111
FAX：045-476-1061
URL：www.lasertec.co.jp

ArFマスク
レビューステーション

　ArFマスクレビューステーション「MRS193EX」は、248nmの波長を使用した前モデルから今回193nmの波長へと短波長化を図っている。MRS248にあった種々の解析機能を変更することなく、解像度を向上し、露光波長と同じ波長で欠陥レビューとCD等の測定が行える。主に、欠陥検査後のマスク欠陥レビュー、欠陥サイズ測定、異物（洗浄可）とパターン欠陥（修正要）の判定支援などに利用することができる。AFMをオプションとして内蔵することにより、3次元計測も可能である。

連絡先●レーザーテック（株）
TEL：045-478-7111
FAX：045-476-1061
URL：www.lasertec.co.jp