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2008年5月号


Cover Story

Si貫通ビア： 量産準備は完了

IDM、ファウンドリ、パッケージングハウスなどはSi貫通ビアプロセスの開発を進めている。しかし、製造コストの要求に対応するために更なる対策が必要とされているようだ。


Editorial

終わりの始まり

Features

高性能 SiPモジュールの 集積化

熱・電力管理のための サーマルCu ピラーバンプ

HDP-CVD プロセスの シール材料で寿命を延ばす

Expert Perspective

3次元TSVの導入を遅らせているものは？

Industry Perspective

半導体と共に弱体化する日本人の英語力

Movers & Shakers

中川 洋一 氏 SEMIジャパン　代表

Industry News

TIが45nmトランジスタの接合部を進歩させる

太陽光発電：5年後にグリッド電力と競合へ

EUV研究がArFレジストの問題解決に一役買う

デバイスのニーズを満たすための3次元分析が進歩している

CNTベースの配線がGHzへ

IMEC、45nm以降に適用可能なばらつき解析法を発表

IBMら、32nm世代のゲートファーストHigh-k/メタルゲートの試作確認に成功

SI Japan RESOURCE CENTER

アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
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