TWINSCAN XT:1950iは、1.35NA レンズを使用した液浸露光装置。重ねあわせ、解像度、およびスループットの向上により、液浸露光装置としての性能が25％向上したとしている。性能の向上によって、38nmメモリーおよび32nmロジック半導体の量産を可能にする。微細化により、現行機種に比べ、ウェーハ面積効率が10％向上しており。1時間あたりのスループットは148枚を達成した。3.5nmの重ね合わせが可能で、Low-k₁アプリケーションを用いることが可能である。

連絡先：蘭ASML社
www.asml.com

　Applied Producer Etchは、フラッシュメモリーやDRAMチップの配線エッチングへの対応したエッチング装置。メモリー構造の製造には多くの絶縁膜エッチングステップを踏む必要があり、これをコスト効率よく処理して生産性を高めることが求められる。Producer Etchは、現行機種と比較してスループットを30％以上高めたほか、MTBC（平均クリーニング間隔）を50％以上延長し、消耗品コストは半分に抑えているとしている。独自のリアクター設計は、ボンディングパッド、エッチバック、リセス形成などの絶縁膜／ポリシリコンアプリケーションで大きな成功を収め、8Xnmノードから4XnmノードのDRAMやNANDフラッシュ配線構造の絶縁膜エッチングで高いスループットと歩留まりを実現しているという。

連絡先：米Applied Materials社
www.appliedmaterials.com

　Applied Producer eHARPは、溝幅30nm以下でアスペクト比12：1以上の形状の埋め込みに用いるボイドフリーの薄膜を形成し、32nmノード以降のSTI（浅溝型素子分離）デバイス構造にも適用可能なCVD装置。ウェーハ1枚当たりのトータルコストが非CVDギャップフィル技術に比べて低く、eHARP膜は実質的にカーボンフリーで、保護ライナーもキャッピングライナーも必要とせず、従来のCMPプロセスと容易にインテグレートが可能。プロセスで使用する薬剤は有害な液体副生成物を発生しないので、特殊な化学物質廃棄処理を行う必要がない。

連絡先：米Applied Materials社
www.appliedmaterials.com