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[2008年01月号]●ウェーハ反り/ストレス検査装置
連絡先:レーザーテック
www.lasertec.co.jp
●貫通電極エッチング深さ検査装置
WASAVI シリーズ TSV300は、貫通電極(TSV: Through Silicon Via)のエッチング深さ検査装置。コンフォーカル(共焦点)光学系と白色干渉計の組み合わせで構成。深さ計測専用のコンフォーカル光学系を搭載し、計測光学系から迷光を排除することにより底部分からの微弱な反射光を捉え、白色干渉計の高い分解能による高精度なエッチング深さ測定を実現した。光で計測するため、従来手法のように破断面の作製が不要で、非破壊で検査することが可能。エッチングの開口径と深さを全自動で検査することができる。200mmおよび300mmウェーハに対応し、深さ測定精度は0.1μmを実現している。エッチング/レーザーによる貫通電極形成過程での深さ検査、パワーデバイスのトレンチの計測、MEMS技術や金属微細加工など深いビア構造の解析などに利用することができる。本体価格は1億1000万円〜1億4000万円。
連絡先:レーザーテック
www.lasertec.co.jp
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●明視野ウェーハ検査装置
Applied UVision 3は、45nmノードのトランジスタ形成工程(FEOL)および液浸リソグラフィに求められる高い欠陥検出感度を備えたDUV(深紫外線)明視野ウェーハ検査装置。従来品と比べ、ウェーハ上を走査するレーザービーム数を3 倍に増やし、高スループットを実現。2つの新しい画像処理モードにより感度は20nmまで高められており、新たに搭載した柔軟性の高い自動欠陥分類エンジンが欠陥を素早く探し当て、歩留まりの習熟期間(歩留まり低下の原因を特定・除去するプロセス)を加速することができる。また、DUV レーザー機構を高感度の光電子増倍管(PMT)および可変偏光と組み合わせ、32nmメモリー開発の課題にも対応。独自のアルゴリズムにより高い精度の欠陥検出とステッチ間の検出が可能になり、周辺回路部に対する感度の向上も実現した。
連絡先:米Applied Materials社
www.appliedmaterials.com
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