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Cover Story
マスクレベル測定技術の重要性： フラッシュメモリーのCD均一性に大きな影響
フラッシュメモリーは微細化を加速させ、Hyper-NA液浸リソグラフィは45nm以降のパターニングをメモリーメーカーの手の届くところまで引き寄せた。いくつかのマスクパラメータは結像性能にとって重要であり、特にマスクレベルで空間像を予測することは露光工程前の性能分析に役立つ。
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