MAGAZINE ARTICLES
このページをホームページに登録2008年3月号
Cover Story
新たなリソ技術や トランジスタ構造の変化が 32nmへと導く
45nmから32nmへのプロセス技術の移行は、いくつか主要な材料の変化とリソグラフィにおける大きな変化を伴い、クリティカルレイヤーではダブルパターニングが採用されることが予想される。それらは、製造コストや特定の製品ニーズなどによって選択されることになるだろう。
SI Japan テクニカルセミナー
最新のテクニカルセミナー情報
Semiconductor International日本版
第19回テクニカルセミナー
「32nmを描くリソグラフィの選択肢
〜Double Patterningか？直描か？」
セミナー関連記事はこちらから
最近のテクニカルセミナー情報
第18回テクニカルセミナー
「DRAM 1ドル時代の量産技術
〜装置とプロセスをどう制御するのか？〜」
関連記事はこちらから
第17回テクニカルセミナー
「SiPプロセス革命
〜SiP、TSVでイニシアチブを握れ〜」
関連記事はこちらから
SI Japan RESOURCE CENTER
アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
EVENTS
-
Industrial Design セミナー
－モノづくりにおける意匠設計とそのデータ活用－
2008年07月31日ー2007年07月31日
虎ノ門パストラルホテル（東京） -
第19回マイクロマシン/MEMS展
2008年07月30日ー2007年08月01日
東京ビックサイト（東京） -
PVJapan 2008
2008年07月30日ー2007年08月01日
東京ビックサイト（東京）
