中国科学院（Chinese Academy of Sciences）微電子（マイクロ電子）研究所と杭州中科微電子有限会社（Hangzhou Zhonghao Electronics）は、3年をかけて研究してきた「ナビゲーションチップ2号」の開発に成功、独自の知的財産権を擁した低コストの衛星ナビゲーション受信チップおよび携帯電話用ソリューションを発表した。

　衛星ナビゲーションの応用産業の急速な発展に伴い、GPSナビゲーション・測位機能がすでに社会や家庭における多くのモバイル機器へ浸透し始めている。しかしながら、中国は現在、GPSの衛星ナビゲーション分野では全てのGPSチップを国外からの輸入に頼っている状況だ。GPSの車両追跡に使用されているGPSコア測位製品の主な供給源は、米国、日本、韓国などとなっている。

　現在、中国国外製で最高レベルの同種製品のコストは、約12米ドルであるが、両社が開発した新技術によりチップコストはわずか2米ドルとなり、さらに消費電力も低く、チップの電力ロスは国外製品の40％ほどに抑えることができるという。杭州中科微電子有限会社の総経理（CEO）である殷明氏によると、「現在、当社は業務提携について5社の携帯電話メーカーとすでに商談を開始しており、“中国製チップ”を搭載したナビゲーション機能付き携帯電話が、2008年の下半期にも登場するだろう」とコメントしている。

　中微半導体設備（AMEC：Advanced Micro-Fabrication Equipment）社は2007年12月、エッチング装置「Primo D-RIE」とCVD装置「Primo HPCVD」の2種類の新製品を正式に発表した。AMECによると、2種類の製品は65nmおよび45nmノードに対応し、市場の既存装置の処理能力よりも35％高いため、CoOについても35％低減することができるという。

　同社の社長兼CEOである尹志堯（Gerald Yin）氏によると、当社のエッチング装置Primo D-RIEには主に次の3つの特徴があるという。（1）低周波数RFと高周波数RFの分離を通じて、プラズマ密度とエネルギーの独立制御を実現し、DRAM、フラッシュメモリー、ロジックへの応用が可能。（2）独自のチャンバの設計により、枚葉および両面枚葉処理を実現。（3）精密制御が可能。同様に、CVD装置Primo HPCVDには次の3つの特徴がある。（1）グループ構造を採用し多様な組成が可能となり、ユーザーは開発・量産を同時に行うことが可能。（2）マルチチャンネルの搬送技術を採用し隙間充填の問題を解決。（3）作業台が回転し放熱が可能。

　ケイマン諸島に本拠地を登記するAMECの製品開発拠点は中国上海に置かれ、販売センターをシンガポールに設置、アジア地域の半導体メーカーをメインのターゲット顧客としている。AMECは2007年6月、顧客に対しそれぞれ1台の評価用装置を提供、2008年には4台のテスターを引き渡す予定。情報によると、現在、東芝がAMEC製品の評価を行っているという。

　中芯国際（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）は、すでに米IBM社と共同で45nmバルクCMOS製造技術のライセンス供与協定を締結していることを明らかにした。同協定により、IBMが45nm低消費電力および高性能バルクCMOS技術をSMICに供与したとのこと。

　情報によると、IBMの低消費電力技術は、例えば第3世代携帯通信機能、マルチメディア機能、画像処理などの機能を統合したハイエンド携帯電話・モバイル通信製品への応用が可能。またその高速処理技術により、その他の家庭用電化製品をサポートできるとしている。

　IBMのIPライセンス担当バイスプレジデントのKevin Hutchings氏は、「SMICは、中国で先駆けのファウンドリであり、IBMとしてSMICとの提携を通じて、45nmプロセスが重要なマーケットとなる中国で実現できると期待している」と述べている。SMIC副社長のMatthew Szymanski氏も「今回の提携は当社のロジック技術の発展および当社300mm対応工場の顧客に最適なソリューションの提供に役に立ち、IBMの設計やIPの専門技術を統合することで、当社のファブレスの顧客に対して45nm技術を採用したシステムチップを提供できる」と述べている。

　現在、SMICでは自社開発の65nm低消費電力技術が実証段階にある。SMIC社長の張汝京氏は、先日、上海の300mm生産ラインについて2008年末から45nmプロセスの試験生産を開始すると発表した。当初SEICの300mm生産ラインでは90nmロジックを生産していた。また米Spansion社が今年、65nmノードでSMICとの提携を拡大する。

　上海に本社を置く南通強生光電科技有限会社（Nantong Qiangsheng Photovoltaic Technology）は、単一生産ラインとしては中国で最大の生産能力（25MW）となる薄膜太陽電池生産ラインを2008年1月から江蘇南通にて生産を開始した。同社は、2008年中にさらに2本の生産ラインを追加する予定で、総生産能力で75MWを確保する予定。また2年以内に薄膜太陽電池の電力網への送電価格が1人民元に達して、現在太陽光発電の電力網への送電価格である4〜5人民元レベルより大幅に引き下げる計画である。

　情報によると、強生軽工グループが10億人民元を投資して創設した南通強生光電科技有限会社は、2500万米ドルを投入して米国から導入した25MWのアモルファスシリコン薄膜太陽電池の生産ラインが設置され、調整中であり、2008年1月にロット生産を開始できるという。この生産ラインには次の3つの特徴を具えている。1つは単一ラインの生産能力では国内トップで25MWに達すること。2つ目は光電変換効率が6％以上。3つ目が独自開発により、従来の手作業から超音波洗浄、自動溶接、高精度レイアップなどをコンピュータプログラムにより制御することで、各プロセスがスムーズにリンクする全自動化生産に移行し、製造コストを節減する。さらには補助材料を国産化する取り組みに着手するとしている。

　同社は3年以内に内モンゴル、チベット、ウイグルなどの地域に1〜5MW太陽光発電所を建設する計画。現在、国外で1MWの多結晶シリコン発電所を建設する場合、約700万米ドルの投資が必要とあり、また中国のチベットなどの地域における太陽エネルギーのモデルプロジェクトへの投資が6000万人民元余りとなるが、強生光電のアモルファスシリコン薄膜電池で建設した太陽光発電所が1MWの場合、わずか2400万人民元の投資ですみ、現在の国内モデルプロジェクト投資の約40％となる。

　「中国太陽光発電産業の発展報告」によると、現在中国の95％以上が多結晶シリコン電池で、90％以上が輸出され、かつ中国の現在の結晶シリコン技術は国外から制約を受けている。同報告によると、太陽光発電のコストが1度当たり約4人民元であるが、2030年には一般的な火力発電の電力価格と競争できるとしている。

　米ON Semiconductor社は、2008年表面実装部品向けパッケージ（SOSM）製品をマレーシアの芙蓉工場から楽山-菲尼克斯半導体有限会社（Leshan−Phoenix Semiconductor）に全て移転することを計画し、楽山工場の年間生産能力が15％伸びるとしている。

　この移転計画は2段階に分けて実施される。一段階目では設備が、すでに楽山-菲尼克斯半導体有限会社に運送されて据付、生産が開始されている。その予定総生産能力が毎年10億個を超えると見込まれている。また2段階目が2009年第1四半期に生産に入ると予定され、その際の総生産能力が毎年20億個増えることで、楽山-菲尼克斯半導体有限会社の年間生産能力は230億個に達する。

　楽山-菲尼克斯半導体有限会社は、ON Semiconductor（70％の株式を保有）および楽山無線電株式会社（30％の株式を保有）が共同出資して設立した企業であり、12年間における投資と建設を通じ、投資総額が5億米ドルを超え、2007年末現在、半導体部品の生産ライン45本が稼動し、2500人以上の従業員が働いている。

　四川長虹社の最近のプレスリリースによると、同社は成都高新投資グループ有限会社と共同で6億人民元を出資して、「四川虹視顕示技術有限会社」を設立する予定であり、これにより有機ELディスプレイ（OLED）産業に進出すると発表した。情報によると、長虹社が3億6000万億人民元を出資し、並びに四川虹視顕示技術有限会社の株式の60％を保有し、成都高新投資グループが四川虹視顕示技術有限会社の株式の40％を保有する。四川虹視顕示技術有限会社では主な業務として、OLED及びそのモジュール、ヘッドマウントディスプレイやモバイルディスプレイ、電子製品の研究開発、製造、販売およびサービスなどを行っている。

　韓国LG. Philips社は、広州開発エリアに位置するLCDパネルモジュール工場が2008年年明け前に試験生産に入ったと発表した。正式な生産開始セレモニーは4月に催される予定で、生産能力の半分がLCDテレビ向けに生産される。今のところ、生産能力は当初計画していた10万枚/月には達していない。生産されたLCDパネルは、テレビおよびPC向けに出荷される。情報では、5〜6社のパートナー企業を誘致して工場を設立する予定で、その投資額は1億米ドルを超えているという。