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TFTのCu配線プロセス向け合金ターゲット
[2008年03月号]現在、TFTパネルにはAl系配線が広く用いられているが、大型テレビの普及とともにTFTパネルも年々大型化しており、配線の低抵抗化とパネルの低コスト化のため、低抵抗なCu系配線への要求が高まっている。ただ、Cu系配線はガラス基板や下地膜との密着性が悪く、下地となるSi層との間で原子の拡散が発生する(バリア性の劣化)などの問題があった。
今回開発したCu配線プロセスでは、ガラス基板および下地膜と接する界面層のみ酸素混合スパッタを用いて形成、Cuよりも酸化しやすい元素を添加したCu合金ターゲットを用いている。
新たに開発したCu合金ターゲットを、酸素混合スパッタを用いて形成することで、添加元素やCuの酸化層が結晶粒界や下地との界面に形成される。この酸化層がガラス基板や下地層との密着性を改善するとともに、下地層との原子の拡散を防ぐバリア層となる。酸素混合スパッタを用いて形成した層の上に連続的にCu合金またはCuを形成することで低抵抗な配線が得られる。同プロセスによって、従来のAl系配線で用いられていたMoやTiなどのバリアメタル層が不要となり、ガスだけの制御で自己バリア層を形成することができるという。
今回開発したCu-Mg、Cu-Ti、Cu-Zrなどの各種Cu合金ターゲットは、アルバックマテリアルから販売される予定。アルバックでは、2010年にはTFTパネル配線向けのAlターゲット材料の市場は1000t/年規模に成長するとし、そのうち30%ほどがCu配線用のターゲットに代替されると予測している。両社は今後、Cu配線プロセスおよびCu合金ターゲット材料を市場投入して事業の拡大を図る。
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