> トップページ  > Technical Channels  > Material

Technical Channels Material

このページをホームページに登録

Material


NEWS

2012年に450mmウェーハ導入で Intel、Samsung、TSMCが「合意」 (2008.05.08)

　半導体業界では、現在の300mmウェーハをさらに大口径化するのは非現実的であるとの見方がある。その一方で、450mmウェーハへの移行を望む声が高まりつつある。そうした中、米Intel社、韓国Samsung Electronics社、そして台湾TSMC社の3社は、450mmウェーハへの移行に向けて業...


2008年第1四半期のSiウェーハ出荷は横ばい、SEMIが発表 (2008.05.07)

SAFC HITECHが米シボイガン工場を拡張 (2008.05.01)

AMAT、ArFリソ対応マスク検査装置を発表 (2008.04.30)

住友ベークライト、４大特性を兼ね備えた 半導体製造工場向け制電プレートを発売 (2008.04.30)

IBMら、32nm世代のゲートファーストHigh-k/メタルゲートの試作確認に成功 (2008.04.16)

2007年の半導体材料市場は13.5％増、SEMIが発表 (2008.04.09)

産総研、ナノ電子デバイス研究センターを設立 (2008.04.09)

富士通研と東工大、次世代FeRAM向け新材料を開発 (2008.03.28)

MEARS Technologies、エルピーダメモリとの契約締結 (2008.03.24)

IntelがSCQI賞を発表、ディスコ、日立ハイテクなど (2008.03.24)

三菱電機、Poly-Si太陽電池で変換効率18.6％を実現 (2008.03.21)

JSR、ダブルパターニング用のフリージング材を開発 (2008.03.14)

東芝、四日市第4製造棟に乾式排ガス処理装置を導入 (2008.03.04)

NEC、汎用BGAをPoP化する実装技術を開発 (2008.03.04)

ARTICLES

Si貫通ビア： 量産準備は完了 (2008.05.01)

IDM、ファウンドリ、パッケージングハウスなどはSi貫通ビアプロセスの開発を進めている。しかし、製造コストの要求に対応するために更なる対策が必要とされているようだ。


3次元TSVの導入を遅らせているものは？ (2008.05.01)

高性能 SiPモジュールの 集積化 (2008.05.01)

熱・電力管理のための サーマルCu ピラーバンプ (2008.05.01)

HDP-CVD プロセスの シール材料で寿命を延ばす (2008.05.01)

太陽光発電：5年後にグリッド電力と競合へ (2008.05.01)

EUV研究がArFレジストの問題解決に一役買う (2008.05.01)

IBMら、32nm世代のゲートファーストHigh-k/メタルゲートの試作確認に成功 (2008.05.01)

成功への秘訣： ウェーハレベルのはんだボール搭載法 (2008.03.01)

マルチコアLSIの低消費電力化技術 (2008.03.01)

NEWS一覧

このChannelの
すべてのNEWSはこちらから

CATEGORIES

SI Japan RESOURCE CENTER

アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
資料一覧を見る
この資料をダウンロード

EVENTS

イベント一覧   

 > トップページ  > Technical Channels  > Material