先端リソグラフィの開発と歩留まり向上へのチャレンジ

　32nmにはEUVリソグラフィは間に合わない、材料などを含めた周辺インフラの整備が遅れるのではないか、または、32nmの本命はダブルパターニングではないかといった意見が聞こえるようになりました。また、水以外の高屈折率液体を利用した液浸リソグラフィの開発状況の進展度合いよっては、今後の先端リソグラフィの勢力図に大きな変化を生じることも考えられます。

　液浸技術などの次世代リソグラフィ技術の急速な進展の一方で、新材料の適用などにより、液浸起因による欠陥が増大、量産プロセスの歩留まりが懸念されていると聞きます。遠いようで近い、次世代プロセスの量産を睨んだ開発が確実に進んでいます。さらに新たなリソグラフィ起因の欠陥の発生も懸念されているのでしょう。関連材料、周辺インフラの対応も急務です。さらには、このリソモジュールにはベベルの検査も含めて多くの新しい歩留まり対策が必要となりそうです。

　Semiconductor International日本版では、間近に迫った次世代リソグラフィ技術の進捗と、リソ起因の欠陥撲滅に向けた各社のソリューションの全容を解明します。

終了しました

以下の講演プログラムは本日現在までに確定しているプログラムです。
追加講演の予定があります。追加講演が決定次第、プログラムを更新いたします。

日時	2007年11月13日(火)
開催時間	セミナー：9：45～17：25
場所	〒100-0005　東京都千代田区丸の内1-7-12　サピアタワー6F 東京ステーションコンファレンス　（地図） JR東京駅新幹線専用改札口（日本橋口）から徒歩1分、八重洲北口改札口から2分
参加料	39,800円（税込み・資料&昼食含む）
主　催	Semiconductor International日本版(SIJ)
本日までに予定している講演プログラム	■【開会の挨拶】 Semiconductor International　日本版編集長　高橋　潤 <9:45-9:50> ■【Lithography options for 32nm half pitch and beyond】 IMEC Director of Lithography Program Dr. Kurt Ronse <9：50-10：45> ■【EUVリソグラフィの進歩と挑戦】株式会社半導体先端テクノロジーズ(Selete) 取締役　第三研究部　部長森　一朗　氏 <10：45-11：30> ■【EUVリソグラフィの開発状況および展望　　～EUVAにおける光源、装置技術の開発を中心として～】技術研究組合　極端紫外線露光システム技術開発機構(EUVA) 研究企画部　研究部　部長阿部　直道　氏 <11：30-12：15> ◇◆昼食◆◇ <12:15-13:15> ■【Making Cost-Effective Lithography Choices for Future Manufacturing】 SEMATECH Director, Lithography Division Michael Lercel 氏 <13：15-14：10> ■【32nm以降のリソグラフィを実現するダブルパターニング技術】アプライドマテリアルズジャパン株式会社社長室　技師長堀岡　啓治　氏 <14：10-14：55> ■【リソグラフィ用光源の現在と未来】サイマージャパン株式会社アプリケーションエンジニアリング　シニア・マネージャー James Bonafed 氏 <14：55-15：40> ◇◆休憩◆◇ <15：40-15：55> ■【Litho Control Challenges & Solutions for 45nm hp】 KLA Tencor Parametric Solutions Group Technical Director 加藤　敦彦氏 <15：55-16：40> ■【NGL対応マスクの技術動向】大日本印刷株式会社電子デバイス事業部　電子デバイス研究所　第一研究室　室長森川　泰考　氏 <16：40-17：25>
協賛企業

※ お問い合わせ先 E-Mail:sijseminar@reedbusiness.jp
電話番号：03-5775-6017

Semiconductor International日本版 第14回テクニカルセミナー 『先端リソグラフィの開発と歩留まり向上へのチャレンジ』

Semiconductor International日本版　第14回テクニカルセミナー
『先端リソグラフィの開発と歩留まり向上へのチャレンジ』