Semiconductor International日本版 第6回テクニカルセミナー
45nm以降の壁を乗り越えるFEOLソリューション

FEOLでは、長らくSiゲート酸化膜の膜厚は物理限界に近いとされ、高誘電率のHigh-kゲート絶縁膜の導入が検討されていました。High-kゲート絶縁膜材料はHf系で決まったものの、導入は後倒し。Hfの界面制御の問題からメタルゲートの同時採用が必須との声も聞かれます。一方で歪みSi技術は成熟しつつあり、移動度向上技術として期待されています。また、FinFETなどの三次元トランジスタの登場でスケーリングは容易になりますが、プレーナ型トランジスタ終焉の影響は予想以上に大きくなると考えられます。45nm以降ではトランジスタ構造が変わるだけではなく、新材料も導入され、プロセス技術も変革の時を迎えます。

SIJテクニカルセミナーでは45nm以降FEOLの課題を明らかにし、対する各社のソリューションを紹介します。皆様方の有益な議論の場になればと考えております。

日時	2006年7月 31日(月)
開催時間	午前10時〜午後5時（予定）
場所	〒108−0075　東京都港区港南1-9-36 アレア品川4F 東京コンファレンスセンター・品川　（地図） JR品川駅港南口（東口）より徒歩2分
参加料	39,800円（税込み・資料・昼食含む）
本日までに決定している講演プログラム	■【ルネサス テクノロジの提案する45nm以降のFEOL技術】 　株式会社ルネサス テクノロジ 　生産本部 先端デバイス開発部 先端デバイス要素グループ 　グループマネージャー 　黒井　隆 氏 　＜10：00〜11：00＞ ■休憩＜11：00〜11：10＞ ■【SEMATECHのFEOLチャレンジ】 　International SEMATECH 　Front End Process Division 　Paul Kirsch 氏 　＜11：10〜12：10＞ ■昼食＜12：10〜13：10＞ ■【High-k 絶縁膜材料のプラズマクリーニング】 　京都大学大学院工学研究科 　航空宇宙工学専攻 　斧　高一 教授 　＜13：10〜14：10＞ ■【日立国際電気の提案するFEOLソリューション】 　株式会社 日立国際電気 　電子機械事業部　富山工場　副技師長 　宮 博信 氏 　＜14：10〜15：00＞ ■コーヒーブレイク＜15：00〜15：20＞ ■【45nm以降のデバイス向けクラスターイオン注入装置とプロセス】 　日新イオン機器株式会社 　I/I事業センター　エキスパート 　丹上　正安 氏 　＜15：20〜16：10＞ ■【Self-regulatory Plasma Doping (SRPD) : 　 　USJデバイス実現のためのドーピング・ソリューション】 　ユー・ジェー・ティー・ラボ株式会社 　伊藤　裕之 氏 　＜16：10〜17：00＞

講演者は追加・変更される場合がございます。あらかじめご了承下さい。

※ お問い合わせ先 E-Mail:sijseminar@reedbusiness.jp
電話番号：03-5775-6017