洗浄技術進化論、45nm量産から32/22nm開発へ～High-k/メタルゲート、ダメージフリーへのアプローチ～

　SIJテクニカルセミナーでは一昨年に、バッチ式洗浄から枚葉式洗浄への移行の進展状況と背景を検証し、昨年は構造ダメージを与えない次世代メガソニック洗浄の開発動向や、FEOL、BEOLで求められる最先端洗浄技術の課題を検証いたしました。

　現在、半導体製造は新たな局面を迎えようとしています。High-k絶縁膜やメタルゲート電極の導入が間近に迫っています。洗浄技術もこれらの新規材料へ対応した新プロセスの確立が求められます。新規材料起因のパーティクルを他プロセスへ流出させないことも大前提となり、洗浄プロセスに求められる精度はますます厳しいものとなります。また、今まで以上に求められる環境負荷やコストの低減への期待を満たすためには洗浄効率を向上する薬液技術にもブレークスルーが期待されます。

　Semiconductor International 日本版では、45nm量産プロセスから32nmプロセスに向けて革命的な進化の道程に突入した洗浄技術が直面する課題、新技術の開発動向を検証します。

終了しました

日時	2008年2月22日(金)
開催時間	セミナー：10：00～17：00（予定）
場所	〒100-0005　東京都千代田区丸の内1-7-12　サピアタワー5F 東京ステーションコンファレンス　（地図） JR東京駅新幹線専用改札口（日本橋口）から徒歩1分、八重洲北口改札口から2分
参加料	39,800円（税込み・資料&昼食含む）
主　催	Semiconductor International日本版(SIJ)
本日までに予定している講演プログラム	■【Opening Talk】 Semiconductor International　日本版エディトリアルアドバイザー服部　毅 (9:50 ～ 10:10) ■【32nmに向けた洗浄技術の課題とアプローチ】株式会社ルネサステクノロジ生産本部　技術開発統括部プロセス開発部　洗浄開発グループグループマネージャ菅野　至　氏 (10:10 ～ 11:00) ■【Progress on physical cleaning methods for different applications】 IMEC Program Manager Ultra Clean Processing, Silicon Process & Device Technology Division Paul Mertens, Ph. D (11:00 ～ 12:10) ◇◆◇ 昼食 ◇◆◇　(12:10 ～ 13:10 ) ■【High-k、メタルゲート、Cu配線対応の洗浄プロセス(仮題)】株式会社東芝　セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第4部フロントエンドプロセス技術開発第三担当主査冨田　寛　氏 (13:10 ～ 14:00) ■【Challenges and Single Wafer Solutions for High-k & Metal Gate Wet Processes】日本エスイーゼット株式会社統括責任者 FEOLクリーニング Glenn W. Gale, Ph. D (14:00 ～ 14:45) ◇◆◇ コーヒーブレイク ◇◆◇　(14:45 ～ 15:00 ) ■【Improved Silicon Etching for sub 65nm Device Generations】米SACHEM社 Russell Stevens　氏 (15:00 ～ 15:45) ■【超臨界流体の次世代半導体洗浄への応用の可能性】ソニー株式会社嵯峨幸一郎　氏 (15:45 ～ 16:35) ■セミナー全体の質疑応答& 統括服部　毅（Semiconductor International 日本版） (16:35 ～ 17:00)
協賛企業

※ お問い合わせ先 E-Mail:sijseminar@reedbusiness.jp
電話番号：03-5775-6017

Semiconductor International日本版 第15回テクニカルセミナー 『洗浄技術進化論、45nm量産から32/22nm開発へ～High-k/メタルゲート、ダメージフリーへのアプローチ～』

Semiconductor International日本版　第15回テクニカルセミナー
『洗浄技術進化論、45nm量産から32/22nm開発へ
～High-k/メタルゲート、ダメージフリーへのアプローチ～』