Technical Channels Lithography
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Lithography News 2007
ASML、Zeiss、キヤノン、 露光装置の特許をクロスライセンス (2007.12.21)
TSMC、High-k/メタルゲートを使わない32nmプロセスを開発 (2007.12.13)
JSRとIBM、次世代半導体プロセスの共同研究契約を締結 (2007.12.12)
JSR、四日市研究センターにArF液浸露光装置を導入 (2007.12.10)
ギガフォトン、90Wの出力を実現したArFエキシマレーザーを発表 (2007.12.03)
ニコン、新型i線露光装置を発表、スループットは300mmウェーハ毎時200枚以上に (2007.11.29)
2007年の顧客満足度で五つ星の半導体製造装置メーカー、VLSIが発表 (2007.11.28)
NECエレ、NEC山形にて40nmプロセスのLSIを生産 (2007.11.19)
NECエレ、40nm DRAM混載システムLSIのプロセス技術を開発 (2007.11.19)
HynixのChoi氏、「リソと後工程のコスト削減がカギ」 (2007.11.09)
ASML、「リソグラフィ市場は2012年に100億ユーロ」 (2007.11.08)
ウシオ電機、Philips、JENOPTIKの3社、EUV光源の開発で提携 (2007.11.02)
住友化学、ArFレジストの評価装置を導入して生産体制も強化 (2007.11.02)
ウシオ電機、御殿場事業所に建設していた新工場棟の稼動を開始 (2007.10.30)
東芝が43nmプロセスのNAND型フラッシュ生産にニコンのArF液浸を採用 (2007.10.19)
大日本印刷、18nm対応のナノインプリント用テンプレートを開発 (2007.09.25)
ニコンとSynopsys、45nm以降に対応したDFMソリューションを発表 (2007.09.21)
ASML、i線スキャナで3596枚/日のウェーハ処理を達成 (2007.09.18)
物質・材料研究機構、シャボン膜を利用した自立膜の製造プロセスを開発 (2007.08.15)
HOYA、ナノインプリント用の石英モールドの試作に成功 (2007.08.03)
KLA-Tencor、Linuxベースのリソグラフィ最適化ツールを発表 (2007.06.05)
大日本印刷、半導体フォトマスク新会社の営業を開始 (2007.06.04)
AMAT、45nmフォトマスク用のエッチング装置を発表 (2007.04.23)
SIIナノテク、45nm対応のフォトマスク欠陥修正装置を発売 (2007.04.18)
KLA-TencorとClear Shape、 45nmの歩留まりの向上に向けて協業 (2007.04.17)
Luminescent、 インバースリソグラフィで2番目の特許を取得 (2007.04.16)
Clear ShapeとLightspeed、 マスク・リコンフィギャブルロジックで協業 (2007.04.13)
Sematech、EUVマスクブランクスで10nmの欠陥を除去 (2007.04.13)
ASML、台湾の台北市近郊に先端技術センターを設立 (2007.04.05)
信越化学と凸版印刷、45nm、32nm対応フォトマスクブランクスを共同開発 (2007.03.09)
ASML、米Brion Technologies社の買収を完了 (2007.03.09)
JSR、液浸リソ用の高屈折率液体を開発、屈折率は1.64を達成 (2007.03.08)
IBM、年内に45nm液浸プロセスによる量産開始 (2007.02.27)
東芝など3社、電解硫酸によるレジスト除去を実用化 (2007.02.20)
キヤノンMJ、Obducat社と ナノインプリント装置の独占販売契約を締結 (2007.02.15)
大日本印刷、台湾に65nmフォトマスクの新工場を建設 (2007.01.23)
NECファブサーブ、フォトマスク事業を大日本印刷に譲渡 (2007.01.05)
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第19回テクニカルセミナー
「32nmを描くリソグラフィの選択肢
〜Double Patterningか？直描か？」
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「DRAM 1ドル時代の量産技術
〜装置とプロセスをどう制御するのか？〜」
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〜SiP、TSVでイニシアチブを握れ〜」
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金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
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