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Material News 2007
富士通研、抵抗値のばらつきを抑制した高速低消費電力ReRAMを開発 (2007.12.19)
IMEC、プレーナ型CMOSやfinFETに応用可能なHigh-k技術を開発 (2007.12.19)
オムロン、200mmウェーハ対応のMEMS一貫ラインを新設 (2007.12.17)
TSMC、High-k/メタルゲートを使わない32nmプロセスを開発 (2007.12.13)
富士通ら、32nm以降のLSI向け多層配線技術を開発 (2007.12.13)
JSRとIBM、次世代半導体プロセスの共同研究契約を締結 (2007.12.12)
東芝、10nm世代に対応可能な2重接合トンネル膜を開発 (2007.12.12)
JSR、四日市研究センターにArF液浸露光装置を導入 (2007.12.10)
日立化成、CMPスラリー生産能力の50%増強の年間約1万5000トンに拡大 (2007.11.30)
プラスチックパッケージ材料市場が2011年までに202億ドルに到達、SEMIが予測 (2007.11.30)
産総研がスピン注入トルクの直接測定に成功、次世代MRAMの開発促進に期待 (2007.11.27)
エム・エフエスアイ、「アプリシアテクノロジー」に社名変更 (2007.11.20)
FormFactor、バーンインテスト用ワンタッチダウン対応300mmウェーハプローブを発表 (2007.11.07)
理化学研究所、高温超電導状態の電子波の可視化に成功 (2007.11.07)
2007年3QのSiウェーハ出荷面積は横ばい (2007.11.07)
IBM、廃棄ウェーハを太陽光発電用に再生する技術を確立 (2007.11.02)
住友化学、ArFレジストの評価装置を導入して生産体制も強化 (2007.11.02)
日鉱金属、プロセス開発向けの450mmテストウェーハを開発 (2007.11.01)
宇部マテリアルズ、低コストのCMP廃水リサイクルを実現 (2007.10.31)
2007年のSiウェーハの出荷面積は前年比9%増、SEMIが予測 (2007.10.11)
広島大や東大ら、強誘電体メモリー材料BLTの高耐久性を解明 (2007.10.05)
チッソ、インクジェット対応の光硬化性インクを開発 (2007.09.28)
出光興産、フォトレジスト原料の自社生産を開始 (2007.09.28)
SUMCO、米国での低欠陥Siウェーハに関する特許訴訟で勝訴 (2007.09.27)
新日本テクノカーボン、特殊炭素製品の生産ラインを新設 (2007.09.12)
SUMCO、太陽光発電用Siウェーハの新工場を建設 (2007.09.12)
SUMCO TECHXIV、台湾子会社の300mmウェーハ生産体制を増強 (2007.08.31)
Rohm and Haasと韓国SKC、FPD事業に関する合弁会社を設立 (2007.08.16)
ラサ工業、Siウェーハ再生設備の新工場棟を建設 (2007.07.24)
新日鉄、低欠陥化を実現したSiC単結晶100mmウェーハを開発 (2007.06.08)
松下電工、狭幅で高絶縁信頼性のパッケージ基板用材料を開発 (2007.05.29)
旭硝子、高周波デバイス向けのフッ素系Low-k絶縁材料を量産化 (2007.04.26)
日立電線、約60億円を投じてCu条製造設備を増強 (2007.04.24)
信越化学と凸版印刷、45nm、32nm対応フォトマスクブランクスを共同開発 (2007.03.09)
SCHOTT KURAMOTO、大型TFT-LCD用ガラス基板の後加工生産工場の稼動を開始 (2007.03.09)
Electronic Newsから: 中国版RoHS指令が施行に (その3) (2007.03.06)
Electronic Newsから: 中国版RoHS指令が施行に (その4) (2007.03.06)
Electronic Newsから: 「勝ち組」と「負け組」 (その2) (2007.03.05)
昭和電工、高品質の窒化物半導体結晶の新製造法と最高出力の青色LEDを開発 (2007.02.23)
IMEC、バイオメディカル向け磁性ナノパーティクルを開発 (2007.02.23)
昭和電工、りん発光材料の有機EL素子で世界最高水準の外部量子効率を達成 (2007.02.15)
Siウェーハ出荷面積は5年連続で成長、SEMI調べ (2007.02.14)
産総研、単層カーボンナノチューブの安価な大量合成法を開発 (2007.02.13)
旭化成電子、化合物半導体の新工場で量産稼動を開始 (2007.01.05)
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