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Wafer Processing


NEWS

ローム、不揮発性ロジックを組み込んだICの開発に成功 (2008.05.15)

　ロームは、IC内部のデータ記憶領域であるレジスタに、不揮発性のロジック回路を組み込んだICを開発したと発表した。同社は今回、強誘電体セパレート構造を新たに開発することで、ICの性能や信頼性を損なうことなくレジスタ領域を不揮発性化することに成功したという。今後は、この技術を応用したカスタムICをユー...


AMAT、ウェーハエッジクリーニング装置「Inflexion」を発表 (2008.05.09)

AMDが製造部門の業務効率について言及、 製造サイクルタイムを23％改善したと明かす (2008.05.09)

2012年に450mmウェーハ導入で Intel、Samsung、TSMCが「合意」 (2008.05.08)

2007年のファウンドリ市場、専業ファウンドリが84％を占める ——IC Insights社の報告より (2008.05.07)

ルネサスとIMEC、ソフトウエア無線で共同研究 (2008.04.28)

エルピーダとQimonda、4F2セルのDRAM開発で提携 (2008.04.28)

Spansion、イタリアにMirrorBit ORNAND2の開発拠点を設立 (2008.04.28)

Appleが半導体市場に参入か P.A. Semiを2億7800万ドルで買収 (2008.04.28)

AMAT、32nm対応マスク洗浄装置を発表 (2008.04.17)

IBMら、32nm世代のゲートファーストHigh-k/メタルゲートの試作確認に成功 (2008.04.16)

IntelとSTのフラッシュメモリー合弁企業 「Numonyx」が正式に発足 (2008.04.09)

産総研、ナノ電子デバイス研究センターを設立 (2008.04.09)

IBMとChartered、バルクCMOSの共同開発を22nmまで拡大 (2008.04.01)

富士通研と東工大、次世代FeRAM向け新材料を開発 (2008.03.28)

ARTICLES

Si貫通ビア： 量産準備は完了 (2008.05.01)

IDM、ファウンドリ、パッケージングハウスなどはSi貫通ビアプロセスの開発を進めている。しかし、製造コストの要求に対応するために更なる対策が必要とされているようだ。


高性能 SiPモジュールの 集積化 (2008.05.01)

HDP-CVD プロセスの シール材料で寿命を延ばす (2008.05.01)

TIが45nmトランジスタの接合部を進歩させる (2008.05.01)

デバイスのニーズを満たすための3次元分析が進歩している (2008.05.01)

IBMら、32nm世代のゲートファーストHigh-k/メタルゲートの試作確認に成功 (2008.05.01)

新たなリソ技術や トランジスタ構造の変化が 32nmへと導く (2008.03.01)

マルチコアLSIの低消費電力化技術 (2008.03.01)

200℃でも劣化しないPbフリーはんだ技術 (2008.03.01)

高密度配線基板を実現するCu表面処理技術 (2008.03.01)

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